三星展示多款 SSD 新品，BM1743 容量高达 128TB 且功耗低

IT之家 8 月 8 日消息，三星在 2024 年闪存峰会 (FMS) 上展示了多款 SSD 新品 ——、、、PM9E1，还对第九代 QLD V-NAND、TLC V-NAND 以及 CMM-D – DRAM 、CMM-H TM、CMM-H PM、CMM-B CXL 技术进行了介绍。

采用 QLC 闪存，容量可达 128TB，连续读取速度为 7.5 GB/s，写入速度 3.5 GB/s，随机读取 160 万 IOPS，写入 45000 IOPS，采用 2.5 英寸外形和 U.2 接口，闲置功耗降低至 4W，后续 OTA 更新后甚至只需要 2W。

三星 速度更快，连续读取速度达 14.8 GB/s，写入速度 11 GB/s，承诺可提供 340 万 IOPS 随机读取性能，写入 60 万 IOPS，最大容量为 32 TB，提供 U.2 及 E3.S 版本可选，其他细节尚未公布。

三星 PPT 中还提到了一款容量为 1 PB 的 SSD，但预期发布日期是 2035 年。此外，容量为 256 TB 的 SSD 将于 2024~2026 年之间推出；512 TB 将在 2027~2029 年推出，仅规划用于 EDSFF-E3.L 数据中心。至于消费级的 M.2，我们至少得等到 2027 年才能从三星那里买到 16 TB 的相关产品。

▲ 三星电子副总裁，先行开发团队负责人张实完（ Chang）发表主题演讲

IT之家注意到，三星电子也在今日在北京举办的 2024 年开放计算中国峰会（OCP China）上提到了多款相关产品，例如 2023 年末推出的 （32TB / 64TB），以及数据中心级 ，以及基于第九代 VNAND 技术的 等产品。

▲ 三星半导体展台现场展示创新大容量存储产品

据介绍，作为三星业界首款 8 通道 PCIe Gen5 SSD， 突破了现有闪存层次结构的限制，实现了每 TB 高达 50K IOPS 的随机写入性能，并率先支持 FDP 技术，已经在美国以及中国的主要数据中心完成引入测试。

三星电子即将推出的新一代 PCIe Gen5 SSD 与上一代产品相比，顺序写入性能提升 1.6 倍，随机读写速度分别提升 1.3 和 1.7 倍。

三星表示，在追求技术突破的同时，AI 处理功耗的重要性也不容忽视。同样以基于 TLC 技术的 为例，其 AI 工作负载下的顺序写入能效比上一代相比提高 1.7 倍，在传统服务器中的随机 I / O 操作的能效也提高了 1.6 倍。AI 应用既要优化 I / O 操作时的功耗，同时也要降低 SSD 在待机状态下的功耗。 的闲置功耗已经降至 4W，下一代产品计划将闲置功耗压缩至 2W，助力数据中心实现节能减排的目标。 有望成为生成式 AI 服务器应用所需的出色解决方案。

在演讲末尾，三星还介绍了近期正在进行客户测试的 HBM3E 内存产品，预计其速度可高达 9.8Gbps，带宽不低于 1TB/s；而下一代 HBM4 产品预计会在 2025 年介绍给大家。同时，三星还提及了业界首款基于 SoC（处理器）的 CMM 产品 CMM-H，包括 CMM-PM 和 CMM-H TM，分别针对数据持久性和虚拟机迁移需求，为 AI 时代提供更强大的内存解决方案。