美光科技推出多路复用双列直插式内存模块，加速内存密集型工作负载

美光科技股份有限公司近日宣布，已出样多路复用双列直插式内存模块（）。该款将赋能美光客户应对日益繁重的工作负载，从而最大化计算基础设施的价值。对于需要每个DIMM插槽内存超过128GB的应用，美光提供最高带宽、最大容量、最低延迟以及更高的每瓦性能，在加速内存密集型虚拟化多租户、高性能计算和AI数据中心工作负载方面，表现优于当前的TSV RDIMM。该款全新内存产品为美光系列的首代，将与英特尔®至强®6处理器兼容。

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美光副总裁暨计算产品事业群总经理 表示：“美光最新的创新主存解决方案为下一代服务器平台提供了亟需的带宽和容量，并降低了延迟，旨在扩展AI推理和高性能计算应用。在提供与RDIMM相同的可靠性、可用性、适用性和接口的同时，显著降低了每项任务的能耗，为客户带来了性能可扩展的灵活解决方案。美光与业界的紧密合作，确保该解决方案能与现有服务器基础设施无缝集成，并顺利过渡到未来的计算平台。”

通过实施DDR5的物理和电气标准，实现了内存技术的突破，使单核心的带宽和容量得以扩展，为未来的计算系统提供坚实保障，并能满足数据中心工作负载日益增长的需求。与RDIMM相比，具有以下优势：

● 有效内存带宽提升高达39%

● 总线效率提升超过15%

● 与RDIMM相比，延迟降低高达40%

支持从32GB到256GB广泛的容量选择，涵盖标准型和高型外形规格（TFF），适用于高性能的1U和2U服务器。得益于TFF模块优化的散热设计，在同等功耗和气流条件下，DRAM温度可降低高达20摄氏度，为数据中心带来更高效的散热，并优化内存密集型工作负载的总系统任务能耗。美光凭借业界领先的内存设计和制程技术，在256GB TFF 上采用32Gb DRAM芯片，实现了与采用16Gb芯片的128GB TFF 相同的功耗表现。在最大数据传输速率下，256GB TFF 的性能比相同容量的TSV RDIMM提升35%。与TSV RDIMM相比，使用256GB TFF ，数据中心可以获得前所未有的总体拥有成本（TCO）优势。

英特尔副总裁兼数据中心至强6产品管理总经理Matt 表示：“借助DDR5接口和技术，实现了与现有英特尔®至强®6处理器平台的无缝兼容，为客户带来了更高的灵活性和更多选择。为客户提供全面的选项，包括更高的带宽、更低的延迟以及多样的容量规格，适用于高性能计算、AI及多种工作负载，且这一切均在同一支持标准DIMM的英特尔®至强®6处理器平台上实现。我们的客户将从美光广泛的产品组合中受益，这些产品涵盖从32GB到256GB的不同容量，包括标准和高型两种外形规格，并将与英特尔®至强®6平台进行验证。”

联想集团副总裁兼人工智能和高性能计算总经理Scott Tease表示：“随着处理器和GPU供应商提供的产品核心数呈指数级增长，所需的内存带宽却未能跟上这一趋势，以满足系统性能平衡的需求。针对内存密集型任务，如AI推理、AI再训练以及众多高性能计算工作负载，美光将助力缩小带宽差距。我们与美光的合作愈发紧密，致力于为我们共同的客户提供平衡、高性能、可持续的技术解决方案。”

美光现已开售，并将于2024年下半年批量出货。后续几代产品将继续提供比同代RDIMM高45%的单通道内存带宽。