三星电子澄清英伟达 HBM 芯片测试传闻，称报道与事实不符
【环球网科技综合报道】近日，针对英伟达（NVDA.US）测试其高带宽存储芯片（HBM）的媒体报道，三星电子（SSNLF.US）再次发表官方回应，澄清相关传闻。三星方面表示，测试工作正在“按计划”顺利进行，并与各客户保持密切合作，以优化产品性能。
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上周，有消息传出英伟达已批准三星的8层HBM3E芯片用于其人工智能处理器。然而，三星迅速对此传闻进行了否认，称该报道与事实相去甚远。“我们无法证实与客户相关的传闻，这个报道并非真实情况。”三星的一位发言人通过电子邮件明确回应道。
HBM（高带宽内存）作为一种动态随机存取存储器（DRAM）标准，通过垂直堆叠芯片的方式有效节省空间并降低能耗，已成为人工智能GPU不可或缺的关键组件。它能够高效处理复杂应用程序产生的大量数据，对于推动AI技术的发展具有重要意义。目前，HBM3是新一代人工智能GPU中最常用的第四代技术标准，而HBM3E芯片则采用了更为先进的第五代标准。
在全球HBM芯片市场中，SK海力士与三星电子占据了主导地位，而美国芯片制造商美光科技（MU.US）紧随其后。上个月，英伟达首席执行官黄仁勋公开表示，公司正在积极评估美光和三星的HBM芯片，以评估它们的市场竞争力，尤其是与SK海力士相比的优势。
