三星电子澄清英伟达 HBM 芯片测试传闻,称报道与事实不符

aixo 2024-08-13 10:47:07
算力 2024-08-13 10:47:07

【环球网科技综合报道】近日,针对英伟达(NVDA.US)测试其高带宽存储芯片(HBM)的媒体报道,三星电子(SSNLF.US)再次发表官方回应,澄清相关传闻。三星方面表示,测试工作正在“按计划”顺利进行,并与各客户保持密切合作,以优化产品性能。

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图源:IC PHOTO

上周,有消息传出英伟达已批准三星的8层HBM3E芯片用于其人工智能处理器。然而,三星迅速对此传闻进行了否认,称该报道与事实相去甚远。“我们无法证实与客户相关的传闻,这个报道并非真实情况。”三星的一位发言人通过电子邮件明确回应道。

HBM(高带宽内存)作为一种动态随机存取存储器(DRAM)标准,通过垂直堆叠芯片的方式有效节省空间并降低能耗,已成为人工智能GPU不可或缺的关键组件。它能够高效处理复杂应用程序产生的大量数据,对于推动AI技术的发展具有重要意义。目前,HBM3是新一代人工智能GPU中最常用的第四代技术标准,而HBM3E芯片则采用了更为先进的第五代标准。

在全球HBM芯片市场中,SK海力士与三星电子占据了主导地位,而美国芯片制造商美光科技(MU.US)紧随其后。上个月,英伟达首席执行官黄仁勋公开表示,公司正在积极评估美光和三星的HBM芯片,以评估它们的市场竞争力,尤其是与SK海力士相比的优势。