SK 海力士、台积电和 NVIDIA 合作开发下一代高频宽内存技术 HBM
据媒体报道，半导体行业的三大巨头SK海力士、台积电和即将展开深度合作，共同开发下一代高频宽内存技术(HBM)。
这一合作计划预计将在9月的中国台湾国际半导体展( )上正式宣布，届时SK海力士社长金柱善将发表专题演讲。
三方的合作将聚焦于HBM技术的研发，以期掌握AI服务器关键零组件的制高点，HBM作为一种高性能的3D堆叠内存技术，对于AI和高性能计算处理器的内存性能至关重要。
合作的目标是在2026年实现HBM4的量产，采用台积电的12FFC+及5纳米工艺制造HBM4接口芯片，以实现更微小的互连间距。
SK海力士一直是 AI GPU HBM内存的独家供应商，预计在2026年推出的Rubin系列将正式采用HBM4技术。
这一合作将进一步巩固三方在AI半导体产业中的领导地位，并扩大与等竞争对手的差距。
此外，台积电也在加强其CoWoS-L和CoWoS-R等封装技术产能，以支持HBM4的大规模量产。
