M31 与高塔半导体达成合作里程碑,推出 65 纳米制程先进内存解决方案

aixo 2024-08-06 08:07:51
存储 2024-08-06 08:07:51

全球领先的硅智财供货商M31宣布与高塔半导体(Tower )达成重要合作里程碑。双方连手成功开发出65纳米制程的SRAM和ROM(只读存储器)IP产品,并已将设计模块交付客户端完成验证,为半导体产业带来全新的先进内存解决方案。

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M31与高塔半导体共同优化的设计架构,巧妙结合低功耗组件 FET(模拟场效晶体管),不仅能够完美满足当前SoC芯片对低功耗的严格要求,更为未来物联网(IoT)、智能型穿戴装置、车联网(V2X)以及人工智能(AI)等新兴应用领域提供了关键技术支持。

为了进一步提升产品的灵活性与适用性,M31特别在此IP中提供了多组Deep NWell电压组合(0~8V、8~16V、16~24V),让客户能够更加灵活地与其他外部IC进行整合。值得一提的是,M31的研发团队在追求低功耗的同时,也成功克服了诸多设计挑战,实现了速度性能的显着提升,为客户带来效能优化的双赢方案。

M31研发副总连南钧表示,与高塔半导体这样的业界翘楚携手合作,共同加速产品研发进程,为客户提供更加优质、创新的半导体解决方案。

在此次合作中,M31特别专注于模拟IC和低功耗组件的技术整合,不仅展现了高度的协同效应,更能有效协助客户在日益复杂的SoC芯片架构中,实现性能和功能的全面优化。这次的成功合作再次证明了M31在全球晶圆厂供应链中的重要地位和多元化发展战略。