SK 海力士公布雄心勃勃战略：开发性能比现有 HBM 高出 30 倍的产品

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8 月 19 日，SK 海力士副总裁柳成洙出席在首尔广津区华克山庄酒店举办的“SK 利川论坛 2024”。在论坛的第二场会议上，柳成洙公布了 SK 海力士的雄心勃勃的战略，即开发一款性能比现有 HBM 高出 30 倍的产品。这一声明标志着该公司在竞争激烈的半导体市场中保持领先地位的努力迈出了重大一步。

Ryu 表示：“我们的目标是开发性能比当前 HBM 提高 20 到 30 倍的产品，重点是推出差异化产品。”他强调，公司专注于通过先进的执行能力，以面向 AI 的内存解决方案来应对大众市场。这一战略至关重要，因为在 AI 技术的快速发展推动下，对高性能内存的需求不断增长。

Ryu 强调，SK Hynix 的 HBM 受到全球公司的高度关注，尤其是七大科技巨头（M7），其中包括苹果、微软、谷歌 、亚马逊、、Meta 和特斯拉等科技巨头。Ryu 透露：“七大科技巨头（M7）的所有成员，也就是美国大型科技公司，都曾与我们接洽，要求提供定制的 HBM 解决方案。”

副总裁还分享了他对满足这些需求的个人承诺，他表示：“我整个周末都在不停地与 M7 公司沟通。内部需要大量工程资源来满足他们的要求，我们正在付出巨大努力来确保这些资源。”这种奉献精神反映了 SK Hynix 保持其在 HBM 市场领先地位的决心。

SK 海力士目前正在准备第 6 代 HBM4，这是一种定制 HBM，可满足客户的特定需求。这一发展正值其他大型半导体公司的竞争，例如三星电子，该公司也在研发 HBM4，预计出货日期为 2025 年下半年。

针对“AI泡沫论”，即AI业务的盈利能力可能低于最初的预期，Ryu认为HBM等高性能内存仍将必不可少。他断言：“即使GPU公司或其他公司目前引领市场，HBM等高性能内存仍将持续存在需求。”他进一步强调SK海力士需要创建自己的内存半导体规范，而不是追随特定公司，并表示：“我们需要创建自己的（内存半导体）规范，而不是追随特定公司。”

Ryu 最后强调了 HBM 范式的重大转折点以及对定制产品日益增长的需求。“我们正处于 HBM 范式的重大转折点，对定制产品的需求日益增长。我们将抓住这些机会，继续发展内存业务，”他说。

三星预计年底前流片12层堆叠HBM4

韩国三星在上个月成立了新的HBM 开发团队，专注在HBM3、HBM3E 和下一代HBM4 的相关技术开发工作，以提高三星在HBM 市场的竞争力。虽然，三星早在2015 年就在DRAM 部门里组建了专门负责HBM 产品开发的团队，但在没有特别重视该产品的情况下，当前被竞争对手SK 海力士给抢了先机，成为GPU 大厂辉达的重要供应商。因此，三星透过组织架构的改组，进一步加强的产品发展，如今似乎有了相关的进展。

根据韩国媒体The Elec 报导，三星将在年底前进行HBM4 的流片，这是属于第六代的HBM 产品，此动作也被认为是为2025 年底进行大规模生产前的准备工作。由于从流片到最终确定试产产品之间，其时间落差可能在三到四个月之间。因此，就这样的时间来估算，三星的HBM4 产品预计最早会在2025 年初发布，之后三星将继续做改进，直到将样品发送给主要客户。

报导指出，三星目前的12 层堆叠HBM4 打算选择4 纳米技术来大规模生产HBM4 的基础裸片，并采用第六代10 纳米等级的1c 制程技术来制造DRAM 芯片。虽然，相较于7/8 纳米制程技术，采用4 纳米制程技术来生产基础裸片的成本要高上许多，但是预计带来更好的芯片性能，同时能耗方面也有更明显的优势。三星目前采用10 纳米制程技术来生产HBM3E 的基础裸片，而新一代HBM4 上换成4 纳米制程技术将可以增加其在HBM 领域的竞争力。

至于，三星的竞争对手SK 海力士则是计划2025 年下半年，开始量产12 层堆叠的HBM4 产品，而且将是采用合作伙伴采用台积电的N5 和N12 FFC+ 特殊制程技术所生产的基础裸片， DRAM 芯片则预计在第五代10 纳米制程的1b，和第六代的1c 制程技术之间做选择。有消息称，SK 海力士原本更倾向于1b 制程技术，但随着三星预计采用1c 制程技术来生产制造DRAM 芯片，内部最后有可能将决定追随三星的做法，换成1c 制程技术。

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