SK 海力士计划开发比当前 HBM 快 20-30 倍的新内存标准，瞄准 HBM4 创新与领先地位
SK海力士在2024年的SK利川论坛上透露了其雄心勃勃的计划，即开发一种新的HBM内存标准，旨在通过高端下一代HBM内存产品快速创新该领域。据SK海力士副总裁Ryu Seong-su表示，该公司正在致力于推出的HBM内存将比当前HBM标准快约20到30倍，尽管他并未透露具体的HBM类型，但推测很可能是HBM4的变体或未来一代产品。
Ryu Seong-su强调：“我们的目标是开发性能是当前HBM的20到30倍的产品，并重点推出差异化产品。”这表明SK海力士正朝着HBM4产品所预期的巨大创新迈进，并计划在HBM市场中获得领先地位。
HBM4作为一种独特的内存技术，在单个封装中集成了逻辑和存储器半导体，展示了巨大的潜力。SK海力士认为，采用更新的技术对于未来的发展至关重要，并将为未来市场定下基调。预计到2025年，HBM市场的价格将飙升10%，并且需求将翻一番。
此外，SK海力士还声称已经得到了包括苹果、、 和等主要科技公司的极大兴趣。他们正在满足这些公司的定制工程要求，以保持其在市场的领先地位。SK海力士还表达了创建其存储半导体的意图，显示出对未来扩张的雄心。
与此同时，三星也计划于2025年底进入HBM4内存的量产阶段，并计划在下季度实现流片。这表明，SK海力士和三星之间的竞争非常激烈，两家公司都希望在2025年年中或末发布各自的HBM4产品，以便及时将其集成到下一代产品中，如英伟达的架构中。
