三星、SK 海力士竞相提供先进 DRAM 芯片，角逐人工智能热潮

全球两大内存芯片制造商三星电子和SK 海力士正在竞相向包括英伟达在内的客户提供先进的 DRAM 芯片，以享受人工智能热潮。两家韩国公司的高管周三表示，他们正在尽最大努力尽快大批量生产最新的高带宽内存 (HBM) 芯片。三星公司总裁兼

内存业务负责人李正培在国际半导体专业人士聚会 2024 的主题演讲中表示：“为了最大限度地提高 AI 芯片的性能，定制的 HBM 是最佳选择。我们正在与其他代工厂合作，提供 20 多种定制解决方案。”

他表示，三星正准备推出用于服务器的 256 太字节 (TB) 固态硬盘 (SSD)，以满足 AI 服务器对大容量存储设备日益增长的需求。

SK海力士总裁兼AI Infra负责人 Kim在主题演讲中表示：“我们正与台积电密切合作开发HBM 4。我们的开发进展顺利，因此我们希望在合适的时间向客户提供该芯片。”

HBM 对 AI 的蓬勃发展至关重要，因为与传统内存芯片相比，它提供了急需的更快处理速度。

在内存芯片制造商中，SK Hynix 是 AI 应用爆炸式增长的最大受益者，因为它 主导了 HBM 的生产，而 HBM 对生成式 AI 计算至关重要，并且是 最大的 AI 芯片供应商， 控制着 80% 的 AI 芯片市场。SK Hynix 上个月表示，计划在第四季度

向 大量供应其最新的 12 层 HBM3E 芯片。SK表示将于本月底开始量产该芯片。

为了保持领先地位，SK于4月与全球最大的代工厂或合同芯片制造商台积电联手，计划明年开发下一代 AI 芯片 HBM4。三星的 HBM3 芯片已通过 的资格测试，目前正 努力争取这家美国 AI 芯片设计公司 HBM3E 芯片的批准。

三星开始向 出货 HBM3E

据报道，三星电子已与合作完成了第五代高带宽存储器（HBM3E）8层产品的质量测试，并已开始出货，准备在先进存储器市场与竞争对手SK海力士和美光展开竞争。

据台湾市场研究公司指出，三星虽然进入HBM3E市场晚于竞争对手，但目前已开始出货。

解释称，尽管三星进入 HBM3E 市场的时间晚于其竞争对手 SK Hynix 和美光，但该公司最近已完成其 HBM3E 产品的认证过程。据报道，三星已开始为 的 H200 GPU 出货其 8 层 HBM3E 内存，而即将推出的 系列的认证过程据称进展顺利。

三星电子对此回应称，他们无法确认与客户有关的具体细节，并表示该报道存在不准确之处。上个月，路透社曾报道称，三星成功通过了 的 8 层 HBM3E 产品交付质量测试。然而，当时三星也否认了这一说法，并解释说他们仍在与主要客户进行测试。

还指出，美光和 SK 海力士在今年第一季度完成了 HBM3E 认证，并于第二季度开始批量出货。据 称，目前美光主要为 H200 供应 HBM3E，而 SK 海力士则同时供应 H200 和 B100 系列。

进一步指出， 的 H200 GPU 是首款采用 8 层 HBM3E 技术的 GPU，预计将在今年对市场产生重大影响。此外，他们预计即将推出的 芯片也将全面采用 HBM3E 技术。

据台媒 理财网 报道，设备解决方案部存储器业务总裁兼总经理李祯培今日在台北出席行业活动时表示三星将在定制 HBM 内存上给予客户充分灵活自主。

李祯培在其题为“内存技术创新跃进未来”的主题演讲中提到，在 AI 时代内存面临能耗、带宽与容量三大挑战，三星电子将准备搭载创新技术的多样化新品，瞄准 AI 设备及边缘应用。

对 HBM 而言，打破现有速度与能耗瓶颈的一个可能途径是为内存集成逻辑处理能力。在这一情况下内存制造商与代工厂的合作至关重要，三星存储器业务部门已为此准备好“交钥匙”方案。

此外，三星电子也可向客户提供相关 IP，由客户自行设计 Base Die 基础裸片以打造定制 HBM 产品，用户甚至可以将基础裸片交由非三星电子的第三方代工企业生产。

李祯培强调，三星电子可以提供内存、代工制程及封装一条龙服务，与广泛生态系统合作伙伴一道能够满足客户不同需求。

他还在演讲中表示，今年 HBM 内存整体出货规模有望达到 ，较此前 8 年累计多出两倍；而全球半导体营收有望在 2028 年达到 8000 亿美元（备注：当前约 5.7 万亿元人民币）规模。

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