SK 海力士明年 HBM 产能将达 15 万片/月，存储厂商争相布局 CXL 2.0 内存模块

【热点速读】

1、消息称SK海力士明年HBM产能将达15万片/月，未来将专注最先进HBM产品

2、三星电子公布DDR发展路线图

3、美光量产12层堆叠36GB HBM3E：内存带宽1.2TB/s以上

4、存储厂商争相布局CXL 2.0内存模块，助力AI服务器和数据中心性能提升

5、台积电2027年推出2.5D CoWoS封装：集成12颗HBM4+A16工艺芯片

6、全球半导体设备销售额Q2恢复增长，达267.8亿美元

7、紫光股份完成21.43亿美元收购新华三30%股权

8、英伟达和微软面临侵犯专利及反垄断法诉讼

9、英特尔考虑出售部分股权以应对营运挑战

1、消息称SK海力士明年HBM产能将达15万片/月，未来将专注最先进HBM产品

据韩媒报道，鉴于AI市场对HBM产品的强劲需求，SK海力士计划将其位于韩国利川工厂的M10F产线改造为生产HBM3E，目前该产线主要生产DRAM。SK海力士预计将在9月底开始量产12层HBM3E。

报道称，SK海力士计划在明年第一季度安装所需设备，并计划在明年第四季度开始生产HBM3E。SK海力士目前正在向英伟达、谷歌和亚马逊供应用于AI推理应用的HBM产品，且正在收到各大科技巨头对定制HBM的请求。

预计改造后的M10F产线的HBM产能可达每月10,000片晶圆，当M10F投入使用后，SK海力士HBM总产能将达到每月150,000片晶圆。

对于SK海力士是否正在转换M10F产线，SK海力士方面表示，“对于公司的产品生产计划无法评论。”

此外，报道称，SK海力士在M10F之后积极扩大HBM产能的可能性不大。这是因为其竞争对手三星电子和美光也在扩大其HBM产能，预计未来市场上有足够的HBM产能来满足需求。SK海力士未来将计划专注于最先进的HBM产品，希望将大部分产能集中在最新一代HBM上，同时逐步淘汰旧产品。

2、三星电子公布DDR发展路线图

三星电子DS部门存储器业务的总裁兼总经理 Lee展示了三星电子未来内存产品的发展蓝图。根据这一路线图，三星计划在2024年推出采用1c nm制程技术的DDR内存，该技术能够提供具有32Gb颗粒容量的产品。随后在2026年，三星将推出其最后一代10nm级工艺的1d nm DDR内存，同样提供最大32Gb的颗粒容量。

展望2027年，三星电子将迈入10nm以下级DRAM制程节点，届时将发布采用0a nm工艺的DDR内存产品，并且内存单颗粒的容量将显著提升至48Gb，即6GB。此外，三星还介绍了-PIM产品，这是一种整合了计算单元的存储介质，能够显著提升系统的能效和性能。

在HBM内存领域，三星电子也明确了其下一代产品HBM4E将于2026年推出，这一进度与竞争对手SK海力士相当。随着这些先进技术的推出，三星电子在内存领域的领导地位有望得到进一步巩固，同时也将为整个半导体行业带来新的增长动力。

3、美光量产12层堆叠：内存带宽1.2TB/s以上

美光科技宣布其12层堆叠HBM3E 36GB内存已进入量产阶段，并开始向主要行业合作伙伴交付，以进行AI生态系统中的验证。据CFM闪存市场了解，SK海力士预计将在9月底开始量产12层HBM3E，三星12层HBM3E芯片已完成量产准备，计划于今年下半年开始供货。

与现有8层堆叠HBM3E产品相比，美光12层堆叠HBM3E容量增加50%，支持大型AI模型如Llama-70B在单个处理器上运行，减少多处理器运行的延迟。同时，该内存拥有超过9.2Gb/s的I/O引脚速率和1.2TB/s以上的内存带宽，且功耗较竞争对手的8层堆叠HBM3E产品更低。

美光在财季(2024年3-5月)财报中透露，其HBM出货量从第三财季开始增加，预计在2024财年从HBM可获得数亿美元收入，2025财年从HBM获得数十亿美元的收入。预期能在2025自然年达到约同于美光DRAM市占率的相同水准，也就是约为20-25% 。另外美光2024年和2025年的HBM产品已售罄，2025年绝大多数的产品定价已签订合同。HBM4方面，美光也已着手开发，考虑采用包括混合键合在内等相关技术。

4、存储厂商争相布局CXL 2.0内存模块，助力AI服务器和数据中心性能提升

宜鼎国际近日宣布推出 CXL 2.0 内存模块，为AI服务器和云数据中心提供更大内存带宽和更多内存容量。

Link（CXL）是一种全新的互连协议，为各种处理器包括CPU、GPU、FPGA、加速器和存储设备提供统一接口标准，可以有效解决内存墙和IO墙的瓶颈。它通过PCI 的物理层，提供低延迟和高带宽的连接，旨在支持下一代数据中心的高性能计算和内存密集型工作负载，最新规范已到CXL 3.0。

宜鼎国际CXL 2.0内存模块采用16.8mm厚度的EDSFF E3.S 2T外形规格，支持PCIe 5.0×8 接口。其基于DDR5内存颗粒，容量方面则为64GB。以配备8根128GB内存条的服务器系统为例，如果添加4个这样的CXL内存模块，则可提供额外30%内存容量和40%内存带宽，可无缝满足AI服务器的苛刻内存需求。特别对于紧凑型双路CPU布局的服务器主板，随着处理器通道数的增加，内存槽占地面积进一步提升，此时CXL内存模块可为更简洁的1DPC方案提供足够内存扩充能力。此外CXL内存模块支持内存池化，可在系统内部实现内存资源共享，减少内存冗余，提升系统整体效率。宜鼎表示其CXL内存模块预计从2025年一季度开始出货。

其实，早在2023年12月底，佰维存储就宣布推出CXL 2.0 DRAM。佰维存储的CXL 2.0 DRAM采用了EDSFF（E3.S）外形规格，尺寸为76（W）x 112.75（L）x 7.5（H）mm，支持PCIe 5.0 x8接口，带宽可达32GB/s，支持Liunx 6.0及以上的系统，另外还支持On-Die ECC、Side-Band ECC、SDDC和等功能。佰维存储提供了32/64/96GB容量的DDR5产品，以不同容量规格满足不同用户对于计算应用的需求。此外，佰维存储还针对没有E3.S接口的服务器背板提供CXL AIC转接卡。

而江波龙也在今年3月发布了自研的CXL 2.0内存拓展模块。江波龙首款采用自研架构设计的 CXL 2.0内存拓展模块基于DDR5 DRAM开发，支持PCIe 5.0×8接口，理论带宽高达32GB/s，可与支持CXL规范及E3.S接口的背板和服务器主板实现无缝连接，并减少高昂的内存成本和闲置的内存资源，大幅提高内存利用率，从而有效拓展服务器的内存容量并提升带宽性能，助力HPC、云计算、AI等应用场景释放潜能。在容量方面优势显著，包括64GB、128GB、192GB以及正在研发中的512GB，充分满足了用户在不同计算应用中的存储需求。

5、台积电2027年推出2.5D CoWoS封装：集成12颗HBM4+A16工艺芯片

台积电近日宣布其在先进封装技术领域的下一步计划。台积电副总裁Jun He强调了将AI芯片内存和逻辑芯片通过3D IC技术融合的重要性，并预测到2030年全球半导体产业的市值有望达到1万亿美元，其中高性能计算（HPC）和人工智能（AI）将引领市场，占据40%的市场份额。

台积电将在2027年推出其2.5D CoWoS技术，该技术将集成8颗A16工艺芯片和12颗HBM4内存。这项技术的应用将大幅降低AI处理器的生产成本，同时为工程师提供更高的便利性，使他们能够将新的代码写入芯片。此外，制造商正在将SoC和HBM架构转换以及大规模生产的成本削减至原来的近四分之一。

尽管如此，3D IC技术生产能力的提高仍然是主要的挑战，因为芯片的大小和制造的复杂性是决定性因素。然而，随着芯片尺寸的增加和更多的芯片块的添加，性能得到了提升，但这也使得过程变得更加复杂，并伴随着更多的对齐错误、破损和提取失败的风险。

为了应对这些挑战，台积电采用了自动化和标准化的工具、流程控制和质量仪器，以及一个制造平台。是一个独特的、完全集成的解决方案，通过优化供应链中1500种不同材料类型的使用，保证了更强的构建。

台积电与多达64家供应商合作，生产高分辨率的放置工具和AI驱动的质量控制等先进的封装工具。这些合作将有助于台积电在封装技术的创新和生产上保持领先地位。

6、全球半导体设备销售额Q2恢复增长，达267.8亿美元

据CFM闪存市场报道，国际半导体产业协会(SEMI)、日本半导体制造设备协会(SEAJ)最新数据显示，因中国大陆地区销售大幅增长，带动2024年第二季度全球半导体制造设备销售额同比增长4%，达267.8亿美元，较第一季度的264.2亿美元微增1%。

按地区划分，

2024年上半年全球半导体设备销售额达532亿美元，战略性投资以及来自先进技术的持续强劲需求，有望促进芯片设备市场恢复增长。

7、紫光股份完成21.43亿美元收购新华三30%股权

紫光股份于9月5日发布公告，披露其全资子公司紫光国际信息技术有限公司（以下简称“紫光国际”）以21.43亿美元成功收购新华三集团有限公司（以下简称“新华三”）30%的股权。此次收购涉及紫光国际与H3C 及Izar Co于2024年5月24日签署的股份购买协议。根据协议，紫光国际以现金方式购买新华三29%的股权以及额外1%的股权，合计收购30%股权。

此前于2024年8月27日，紫光股份已宣布获得中国政府机构出具的文件批准，满足本次交易交割的先决条件。截至目前，交易双方已完成与标的资产交割相关的工作，紫光国际已向交易对方支付了交易对价，交易正式完成交割。紫光股份正在进行新华三股东名册变更手续。

本次交易完成后，紫光股份通过紫光国际持有新华三的股权比例由原先的51%增加至81%，进一步巩固了对新华三的控制权。新华三作为紫光股份的重要子公司，此次股权增持预计将加强紫光股份在信息技术领域的市场地位，并为其长期发展提供更有力的支持。

8、英伟达和微软面临侵犯专利及反垄断法诉讼

美国半导体制造商向美国德州西区地方法院提起诉讼，指控英伟达及其合作伙伴微软侵犯了其七项关键半导体技术专利。这些专利技术主要涉及将与人工智能计算相关的数据密集型任务转移到数据处理单元（DPU）的组件上。在诉状中明确指出，英伟达的三款特定DPU产品使用了的技术，并且是故意为之。

诉讼进一步指控英伟达和微软拒绝与直接就专利许可进行谈判，而是通过与总部位于旧金山的RPX公司合作，试图规避专利诉讼风险。RPX公司是一家为科技公司降低专利诉讼风险的公司。认为，英伟达和微软的这种行为构成了违反美国反垄断法的行为，因为它们都通过RPX公司形成了“买家卡特尔”，以避免为使用的基本知识产权支付公平的市场价格。

目前，英伟达和微软尚未对的指控做出公开回应。这起诉讼可能会对两家公司的业务运营和市场声誉产生影响，特别是在半导体和人工智能技术领域。随着案件的进一步发展，可能会有更多的细节和证据被披露，从而影响案件的最终结果。

9、英特尔考虑出售部分股权以应对营运挑战

在全球半导体市场竞争加剧和公司内部管理问题的影响下，英特尔正面临前所未有的营运挑战。据外媒报道，英特尔正在考虑出售其自动驾驶技术部门的部分股权，以筹集资金并重新调整公司战略。

上个月，英特尔发布的第二季度财报未能达到市场预期，随后宣布裁员超过15%，导致其股价单日暴跌26%，创下50年来最大跌幅。

英特尔CEO帕特·基辛格计划在本月的董事会上提出一系列成本削减措施，包括可能暂停在德国的建厂计划和出售FPGA大厂。此外，英特尔正在全面评估其战略，出售股权是其中的一个选项。

2018年，英特尔以153亿美元收购了，去年通过出售部分股权筹集了约15亿美元。目前，英特尔持有约88%的股份。据悉，英特尔可能通过公开市场或向第三方定向转让的方式出售股份，但尚未做出最终决定。计划在9月晚些时候在纽约举行董事会，讨论英特尔的售股计划。

然而，英特尔选择在股价下跌约71%，市值仅剩102亿美元左右，且预计连续第三年亏损的情况下出售股份，时机并不理想。尽管如此，英特尔5日的股价在盘后交易中略有上涨，截至发稿时，盘后涨幅约为0.1%。对于出售股份的消息，发言人拒绝置评。