长鑫存储技术获写操作电路专利，提升半导体存储器性能
金融界2024年9月8日消息，天眼查知识产权信息显示，长鑫存储技术（上海）有限公司取得一项名为“写操作电路、半导体存储器和写操作方法“，授权公告号 ，申请日期为 2019 年 10 月。
专利摘要显示，本申请实施例至少提供一种写操作电路，包括：数据判断模块，根据半导体存储器的输入数据中为高的数据的位数，确定是否翻转输入数据，以生成翻转标识数据和第一中间数据；数据缓冲模块，根据第二中间数据，确定是否翻转全局总线，其中，第二中间数据为第一中间数据的反相数据；数据接收模块，根据翻转标识数据，对全局总线数据进行解码，并将解码后的数据写入半导体存起的存储块，解码包括确定是否翻转全局总线数据；预充电模块，将全局总线的初始态设置为低。本申请实施例的技术方案可以实现在 下拉架构下，减少内部全局总线的翻转次数，从而大幅压缩电流，降低功耗。
本文源自：金融界
