SK 海力士利川厂 M10F 产线将转产 HBM3E，HBM 月产能有望增至 15 万片

高频宽记忆体（HBM）需求殷切，外传SK海力士将在南韩利川半导体厂M10F改装DRAM生产线，转为生产第五代HBM3E，而M10F生产线启动后，SK海力士HBM月产能可望增加至15万片。

根据外电报导，SK海力士正在将生产DRAM的M10F产线，转生产HBM，M10F产线将用来生产HBM3E，目标是在2025年初前，完成基础设施建设，并从2025年第一季开始引进设备。

业界人士预估，M10F产线每月约可生产1万片HBM，产线规模比既有HBM产线小。目前SK海力士HBM月产能约为14万片，M10F产线正式投产后，SK海力士HBM月产能将增至15万片。

AI已成为科技业军备竞赛，而HBM是其中最重要元件之一，AI晶片组每处理一次任务，GPU就会把资料传送至记忆体，需要HBM的高速资料传输能力。

据了解，美国七大科技巨擘，包括苹果、微软、、亚马逊、辉达、脸书及特斯拉，均向SK海力士提出供应HBM的要求，致使SK海力士积极扩充HBM产能。

考量M10F量产时间等因素，SK海力士将从2024年第四季订设备，并将引进用于记忆体堆叠（）的封装设备、测试设备等。

SK海力士竞争对手三星电子、美光等公司，也正在扩大HBM产量，加上长鑫存储等中国业者宣布进军HBM市场，SK海力士为因应此状况，已订下「专注量产最先进的HBM 」的战略，之后将专注开发、量产最先进HBM，并逐步淘汰旧产品。

三星与SK海力士激烈的HBM竞争背后

三星电子与SK海力士在高带宽存储器（HBM）市场竞争激烈，而人工智能（AI）半导体领域的领军企业英伟达则成为焦点。近期，英伟达与这两家韩国厂商频繁互动，被视为刺激价格和技术竞争的举措。

分析人士指出，尽管英伟达近期一直在与 HBM 供应商接触，但尚未传出有关实际订单的明确信息，这引发业界怀疑英伟达有意刺激两家 HBM 制造商之间的竞争。

此前， CEO黄仁勋曾提到测试三星12层HBM3E产品，但目前尚无明确消息。不过，2024年4月，黄仁勋突然在硅谷与SK集团董事长崔泰源会面，被解读为试图推动三星加速生产并降低价格。

行业分析师指出，自 2023 年以来，HBM3 的价格已上涨了五倍多，而即将推出的 HBM3E 产品价格可能会更高。因此，对于 来说，这可能会导致研发和生产成本过高，这也是 Nvdia 刺激两家韩国芯片制造商之间竞争的原因之一。

据韩国《经济日报》报道，三星日前调集“400名专家”，组成百人专项小组，致力于提高12层HBM3E的良率，力争5月内通过的质量认证测试。此外，三星还安排300多人参与HBM4的开发，计划2024年底完成HBM4的研究，2025年正式向供货。

此前，SK海力士宣布，计划于2024年5月提供12层HBM3E样品，并计划于2024年第三季度实现量产。SK海力士还透露了2025年量产12层HBM4、2026年供应16层产品的路线图。

自三星于2024年2月领先竞争对手宣布开发12层HBM3E以来，提前量产的传闻不断。业界普遍认为量产时间是2024年第二季度，早于SK海力士宣布的第三季度（7月至9月）。此次投入400名专家，凸显了三星夺得“首个量产12层HBM3E”头衔的决心。

三星过去在 HBM 业务方面落后于 SK 海力士，因为三星在 2019 年解散了其 HBM 业务部门，当各大科技公司于 2023 年开始投资生成式 AI 开发时，SK 海力士成为 HBM3 的唯一稳定生产商。

目前，SK海力士在高良率的HBM3市场占有率超过90%，且与有深度合作关系，而三星则主要供应价格较低的HBM2与HBM2E，因此三星非常重视在12层HBM3E量产中的领先，以抢占市场并进一步提升盈利能力。

据悉， 新一代 AI 加速器 B200 及 GB200 升级版或将搭载超过 8 颗 12 层 HBM3E 芯片，三星认为若能与 SK Hynix 在同等条件下竞争，则有很大可能逆转局面，而 有意增加 HBM 供应商也对三星有利。

也有分析师指出，三星8层HBM3E量产时间比SK海力士晚了一个月左右，目前产量也较低，在12层HBM3E需求不旺盛的2024年，稳定的良率而非提前量产才是确保盈利能力与技术竞争力的关键。

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