长江存储采用国产半导体设备替代美系设备，自研架构层数堆叠达 232 层
长江存储用国产设备制造3D NAND芯片
ZOL中关村在线中关村在线官方账号09.2014:32
据媒体报道，长江存储在面临美国出口限制和被列入实体清单的双重压力下，已成功采用国产半导体设备替代部分美系设备。
长江存储自研架构可让3D NAND的层数堆叠到232层，即使与、三星和SK海力士等知名制造商相比，也具有极强的竞争优势。
据悉，长江存储已经使用中微半导体设备公司的蚀刻设备、的沉积与蚀刻设备，以及拓荆科技的沉积设备，成功制造出3D NAND闪存芯片。
虽然长江存储仍继续依赖ASML和泛林集团等外国供应商提供关键工具，但中国国产半导体设备供应商越来越多地承担了生产流程的大部分。
据彭博社报道，长江存储使用国产设备生产的最新NAND芯片在堆叠层数上做了相应的妥协，比早期产品少了约70层，且产量较低。
彭博社认为，层数减少的原因是因为国产设备在制造过程中出现缺陷。对芯片制造领域稍有了解的人都知道，在早期制造阶段，这正常情况。
长江存储表示，长江存储正不断提高产品性能，最新NAND产品中层数的变化与任何特定设备无关。随着制造工艺、流程及经验的不断成熟，长江存储会不断增加堆叠层数。
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