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美光下调10% NAND闪存产能利用率应对市场需求放缓，2025年第二财季出货量预计显著下降

核心观点NAND：美光下调10%NAND闪存产能利用率以应对市场需求放缓。根据DRAMexchange，上周（1223-1227）NAND颗粒22个品类现货价格
2025-01-02
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0 2025-01-02

三星电子或将对DRAM内存和NAND闪存提价3%~5%，存储芯片市场迎来涨价潮

韩媒披露调价消息韩国《每日经济》于4月3日报道
2025-04-07
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0 2025-04-07

DRAM与NAND闪存市场价格持续低迷，DDR4现货价格下滑至1.458美元

据市场研究机构TrendForce集邦咨询最新发布的内存现货价格趋势报告显示，DRAM内存与NAND闪存市场近期呈现出低迷走势。
2025-02-06
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0 2025-02-06

深圳雷龙发展有限公司推出自带坏块管理的贴片式NAND Flash存储卡，适用于嵌入式系统

CS创世SD NAND【贴片式sd卡】的测试使用说明,上锡,热风,镊子,sd卡,nand,使用说明
2025-02-13
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0 2025-02-13

深圳德明利技术公司申请多通道NAND Flash数据处理专利，公开号CN119396344A

深圳市德明利申请多通道NAND Flash的数据处理方法及装置专利，提高数据写入的速度,专利,通道,深圳市,德明利,nand flash
2025-02-13
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0 2025-02-13

三星电子西安工厂NAND闪存工艺升级至286层，提升存储芯片竞争力

三星电子近日宣布，计划将其西安工厂的NAND闪存工艺升级至286层（V9），以应对当前市场低迷和来自中国半导体企业的激烈竞争。 在这一背景下
2025-02-14
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0 2025-02-14

三星西安NAND工厂年内建设第九代产线，目标月产2000~5000片晶圆

2 月 13 日消息，韩媒 SEDaily 昨日报道称，三星中国西安 NAND 闪存工厂在将制程从第六代 V-
2025-02-14
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0 2025-02-14

三星和SK海力士2025年NAND闪存减产10%应对市场疲软和供给过剩

此次减产举措是为了应对持续疲软的市场需求和供给过剩的窘境。去年底，三星已经开始缩减其西安工厂的NAND闪存产量，并在韩国华城的多个生产线降低了产量，以控制整体生产水平。
2025-02-14
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0 2025-02-14

2023年全球与中国低密度SLC NAND闪存市场发展趋势及2029年预测报告

全球低密度SLC NAND闪存市场主要厂商包括ATO Solution, Winbond, GigaDevice, Toshiba,Micron, Macronix。 3
2025-02-14
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0 2025-02-14

闪迪预测NAND闪存市场2025年供需交叉，行业减产持续至三季度

闪迪在最近的投资者日演示文稿中预测，NAND闪存市场的需求将很快从目前的缓慢回升状态走出，进入快速上升轨道，预计供需交叉点将于2025年上半年到来。闪迪认为
2025-02-15
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0 2025-02-15

德国美因茨大学与Antaios合作研发基于SOT技术的MRAM，或将颠覆传统内存市场

根据研究团队的报告，SOT-MRAM在能效和性能上展现出的潜力值得期待，但将其推广到市场的过程中，技术成熟度和生产线的建设仍需要时间。 预测未来，SOT-
2025-02-17
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0 2025-02-17

NAND闪存价格持续下滑，2025年增长率预测下调，AI服务器需求或推动SSD出货量增长

由于供应过剩，NAND 闪存价格预计将继续下滑，迫使内存芯片制造商削减产量以适应 PC 和智能手机制造商低于预期的订单需求。 据 TrendForce 报告
2025-02-21
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0 2025-02-21

2024年第四季度全球NAND闪存收入大幅下降，TrendForce报告揭示消费者需求疲软

根据TrendForce的最新报告，去年第四季度NAND闪存收入下降了6.2%，主要原因是消费者需求疲软。这一趋势预计将在今年第一季度持续
2025-03-07
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0 2025-03-07

SK海力士即将完成90亿美元收购英特尔NAND业务，中创新航葡萄牙电池工厂正式开工

报道称SK海力士即将完成收购英特尔NAND业务近五年前，SK海力士宣布计划斥资90亿美元收购英特尔的NAND闪存和存储业务。
2025-02-27
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0 2025-02-27

2025年NAND市场趋势分析：价格下跌与减产策略对存储行业的影响

值得注意的是，三星作为NAND市场的代表性企业，早在2023年就开始预见市场饱和的风险，这一年其便将NAND产量削减20%-25%，随后在2024年2月
2025-01-27
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0 2025-01-27

三星西安NAND工厂加速技术升级 推进第九代V-NAND产线建设

近日，据韩媒报道，三星位于中国西安的NAND闪存工厂正在加速推进技术升级与产能扩张计划。该工厂在成功将制程从第六代V-NAND(即136层技术)转换至第八代V-
2025-02-15
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0 2025-02-15

长江存储第五代3D TLC NAND闪存出货，采用Xtacking 4.0架构，应用广泛

据外媒报道，长江存储近日宣布已开始出货其第五代3DTLCNAND闪存。这款闪存采用了Xtacking4.0架构，堆叠层数高达294层，并拥有232个有源层，实现了技术上的重大突破。
2025-02-03
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0 2025-02-03

三星西安工厂升级至286层NAND Flash技术，提升市场竞争力

2月13日消息，据BusinessKorea韩国媒体报导，三星正计划将其位于中国西安的工厂升级至286层堆叠的NAND Flash闪存制程技术
2025-02-14
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0 2025-02-14

三星西安NAND闪存工厂产量削减及286层V-NAND升级计划解析

三星前后花了十年的时间建设，分为两期工程，总产量最高可达到每月25万片晶圆，是全球单个产能最高的NAND闪存工厂，占据了三星约40%的NAND闪存产量。
2025-02-15
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0 2025-02-15

三星电子计划到2030年开发1000层NAND闪存，采用多BV结构与晶圆键合技术

2月26日消息， 随着NAND闪存技术竞争日益激烈，三星电子公布的路线图显示，计划到2030年开发出1000层的NAND闪存。
2025-02-27
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0 2025-02-27

DRAM与NAND闪存市场表现分化：DDR4价格持续下滑，NAND交易低迷

DRAM 方面，消费者需求在春节后依然疲软，导致 DDR4 现货价格下跌；而 NAND 闪存市场交易低迷，供应商减产的效果尚未在市场端显现。
2025-02-06
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0 2025-02-06

2025年NAND闪存市场前景：需求疲软与供过于求的双重压力

三星和SK海力士选择在2025Q1减产：将NAND闪存产量削减10%以上,闪存,美光,sk,海力士,nand,三星电子,平均售价
2025-02-13
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0 2025-02-13

三星电子西安工厂完成V9 NAND制程升级，提升存储密度与性能

用AI写周报又被老板夸了！这是继V8 NAND（238层）之后的又一突破，V9 NAND将采用286层堆叠技术，进一步提升存储密度和性能。在AI技术快速发展的今天
2025-02-14
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0 2025-02-14

三星电子计划升级西安工厂至286层NAND闪存工艺以应对市场挑战

2月12日，据BusinessKorea报道，三星电子正计划将其在西安的工厂升级至286层（V9）NAND闪存工艺，以应对低迷的市场以及来自中国半导体公司的日益激烈的竞争。
2025-02-14
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0 2025-02-14

三星电子突破性1Tbit 3D NAND闪存技术：400层字线创新引领存储未来

最近，三星电子宣布其最新的1Tbit 3DNAND闪存将字线层数突破400层，这标志着存储技术的又一次飞跃。三星在400层技术上的破冰之举，既是其V-NAND技术的又一次革新
2025-02-17
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0 2025-02-17
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