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SK 海力士宣布量产全球首款 1Tb 321 层 4D NAND 闪存,速度性能提升
(全球TMT2024年11月22日讯)SK海力士(SK hynix Inc.)宣布,已开始量产全球首款容量为1Tb的基于三层单元的321层4D NAND闪存。自去年6月以来
2024 年一季度全球 NAND FLASH 闪存市场报告:巨头垄断,小厂商生存艰难
形势严峻:被美国打压,国产NAND芯片原地踏步,份额仅5%,闪存,美光,三星,美国,海力士,原地踏步,nand芯片
存储芯片涨价潮来袭,行业复苏态势明显
随着全球存储芯片持续复苏,主流存储芯片厂商已经率先开启了涨价模式。有业内人士表示,从2023年年底开始,全球半导体存储产业逐步进入上行周期
雷龙发展 Nand flash 芯片试用体验:智能家居控制系统的存储新选择
贴片式tf卡 Nand flash芯片试用体验,闪存,硬盘,u盘,tf卡,存储器,nand
人工智能推动 NAND 闪存市场竞争加剧,三星 SK 海力士轮番出手
随着人工智能(AI)相关半导体对高带宽存储(HBM)需求的推动,NAND闪存市场也感受到了这一趋势的影响。目前,NAND闪存市场的竞争正在加剧
看懂 NAND、DDR、LPDDR、eMMC 几种存储器的区别
存储领域发展至今,已有很多不同种类的存储器产品。下面给大家介绍几款常见的存储器及其应用:1 NANDNAND Flash存储器是Flash存储器的一种,属于非易失性存储器
2024 年存储器市场复苏,铠侠结束 NAND 闪存减产策略,价格上涨势头持续
铠侠结束NAND闪存减产,工厂开工率已恢复至100%,铠侠,闪存,工厂,开工率,nand
DRAM 和 NAND 闪存现货市场价格未见明显回升迹象,短期内难以反弹
DARM和NAND现货市场价格走低,涨价周期或将结束,闪存,芯片,dram,nand,darm
日本存储芯片厂商铠侠结束减产行动,市场复苏带来新机遇
据日经新闻报道,鉴于市场正在复苏,日本存储芯片厂商铠侠已结束持续20个月的减产行动,且贷方同意提供新的信贷额度。报道称
三星三季度将上调 DRAM 和 NAND 价格,存储芯片行业景气度上行,国内厂商未来可期
据媒体报道,三星三季度将把动态随机存储器 (DRAM) 和NAND的价格上调15-20%。据业内人士6月26日消息
2024 年第一季 NAND Flash 量价齐扬,美光超越西部数据位居第四
根据TrendForce集邦咨询最新研究报告表明,受惠于服务器需求和消费市场涨价影响,带动2024年第一季NAND Flash量价齐扬,营收季增28.1%,达147.1亿美元。
2024 年第一季 NAND Flash 量价齐扬,美光超越西部数据位居第四
根据集邦咨询研究,受惠于AI服务器自二月起扩大采用 SSD,大容量订单开始涌现,以及PC、智能手机客户为因应价格上涨,持续提高库存水位
三星明年推出第10代NAND芯片堆叠层数高达290层
三星与韩国科学技术院合作,通过铪铁电体技术推动NAND闪存达到1000层以上堆叠高度。目前,三星已经推出了290层的第9代V-NAND闪存,并计划明年推出430层的第10代芯片。
中信建投研:NANDFlash合约价季涨幅同步上修至15~20%
每经AI快讯,中信建投研报表示,当前头部存储供应商通过强势减产,加速拉动市场进入供需关系改善,加之高阶存储需求增长,存储涨价潮持续。预计二季度将
金融界:贵公司有没有应用在手机和电脑上的存储芯片
金融界5月17日消息,有投资者在互动平台向兆易创新提问:贵公司有没有应用在手机和电脑和平板电脑上的存储芯片,请立项研发超级存储芯片,一个芯片,可
三星电子执行副总裁LeeSiwooIMW2024研讨会在明年推出
IT之家5 月 21 日消息,综合韩媒 ZDNet Korea 和 The Elec 报道
苹果闪存技术:从 2D 到 3D 的变革,NAND Flash 引领存储新时代
相信我们都有所体会,当我们在购买苹果时,不同的内存大小价格也差距很大,这个内存指得就是闪存(Flash),苹果是第一家利用闪存来存储数据的公司。
2024 年一季度全球 NAND Flash 产业量价齐扬,美光超越西部数据位居第四
研究机构TrendForce集邦咨询表示,受惠于人工智能(AI)服务器自2月起扩大采用企业级SSD,大容量订单开始涌现,此外个人电脑(PC)、智能手机客户为响应价格上涨
2024 年第一季度 NAND 闪存市场报告:量价齐升,三星占比最高
NAND闪存产业2024Q1营收季增28.1%,增长趋势将延续到第二季度,ssd,大容量,nand,闪存产业
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