创意电子 3 纳米 HBM3E 控制器和物理层 IP 获领先业界采用

台湾新竹 –– 2024年09月24日 –– 先进 ASIC 领导厂商创意电子 (GUC) 很高兴宣布，其 3 纳米 HBM3E 控制器和物理层 IP 已获领先业界的云端服务供货商 (CSP) 及多家高效运算 (HPC) 解决方案供货商所采用。这款尖端 ASIC预计将于今年流片，并将采用最新的 9.2Gbps HBM3E 内存技术。

迄今创意电子的 HBM3E 控制器和物理层PHY IP 子系统方案已被许多 AI 公司采用，但创意电子正积极与 HBM 供货商(如美光)合作，为下世代 AI ASIC开发HBM4 IP。

创意电子HBM3E IP 亮点

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1. 已通过台积电先进工艺制程技术的验证：台积电 N7/N6、N5/N4P、N3E/N3P 制程。

2. 通过所有主流 HBM3 厂商的系统及兼容验证。

3. 在台积电 CoWoS-S 及 CoWoS-R 技术上均通过流片验证：创意电子为台积电 (TSMC) CoWoS-S 设计 eDTC 与 CoWoS-R 设计 IPD，以实现最佳电源完整性。

4. 高阶中介层 () 布线：特有的专利中介层布局布线，既支持具Y 轴偏移的角度布线，又能保持最佳的信号完整性及电源完整性。

5. 内建小芯片 () 互连监控解决方案：创意电子与 合作，并将小芯片互连监控设计整合到 HBM 物理层PHY 中。此功能增强了小芯片的实时可观察性和可靠性。

6. 完整的2.5D/3D 多芯片设计及量产服务：创意电子可为 HBM CoWoS ASIC 平台设计提供 2.5D 与 3D 多种客户合作模式直至量产的选项。

HBM3E 9.2G 眼图结果（Eye ）

中介层（）角度布线

GUC 提供2.5D/3D ASIC 设计全方位服务

创意电子和美光()之间的合作证明，创意电子HBM3E IP 与美光 HBM3E 可以在 CoWoS-S 和 CoWoS-R 技术上实现 9.2Gbps。创意电子测试芯片的结果显示，除电源完整性 (PI) 与信号完整性(SI)结果通过考验，在这些极限速度下搭配美光的 HBM3E 颗粒器件，也能在不同温度和电压边界上取得优异的眼图边限。此外，GUC 的 IP 与美光的 HBM3E 颗粒器件时序参数整合时可展现更有效的总线利用率，可进一步增强整体HBM3E系统效能。

「我们很高兴看到我们的 HBM3E 控制器和 PHY IP 整合到 CSP 和 HPC ASIC 中。」 创意电子营销长 Raina 说。「我们的 HBM3E 解决方案不但经过流片验证，亦通过多个先进技术与主流厂商的验证，而荣获多家大厂采用，也彰显出这个解决方案的稳健度与优势。我们期待继续为各种应用提供支持，包括人工智能、高效能运算、网络和汽车。

美光人工智能解决方案集团高级总监 表示：“内存是人工智能服务器不可或缺的一部分，也是数据中⼼系统效能和进步的基础。”「美光同级最佳的内存速度及能源效率表现，非常有益于因应例如 等大型语言模型这类生成式 AI 工作负载日益增加的需求，进而支持 AI 维持成长步调。」