创意电子 3nm 工艺 HBM3E 内存控制器与 PHY IP 获多家采用，今年流片
创意电子 GUC 今日宣布其 3nm 工艺 HBM3E 内存控制器与物理层（PHY）IP 已获业界重要 CSP 云服务提供商和多家 HPC 解决方案供应商采用，该 ASIC 预计将于今年流片，支持 9.2Gbps HBM3E 内存。
注：创意电子是重要 ASIC 设计服务厂商之一，其最大股东（持股 35%）和唯一晶圆代工厂商皆是台积电。台积电也是创意电子在先进制程和封装技术领域最重要的合作伙伴。
创意电子的 HBM3E IP已通过台积电 N7 / N6、N5 / N4P、N3E / N3P 先进工艺制程技术的验证，与所有主流 HBM3 厂商产品兼容，且在台积电CoWoS-S 及 CoWoS-R 先进封装技术上都进行了流片验证。
根据其与美光的合作，创意电子的相关 IP 搭配美光的 HBM3E 产品可在台积电CoWoS-S 与 CoWoS-R 平台上实现 9.2Gbps 传输速率，同时在不同温度与电压下均能实现优异的眼图边限：
创意电子首席运营官 Raina 表示：
我们很高兴看到我们的 HBM3E 控制器和 PHY IP 整合到 CSP 和 HPC ASIC 中。
我们的 HBM3E 解决方案不但经过流片验证，亦通过多个先进技术与主流厂商的验证，而荣获多家大厂采用，也彰显出这个解决方案的稳健度与优势。
我们期待继续为各种应用提供支持，包括人工智能、高效能运算、网络和汽车。
除 HBM3E 以外，创意电子也积极与美光等 HBM 内存供应商合作，为下一代 AI ASIC 开发 HBM4 IP。
