浙江驰拓科技获半导体器件制备专利，创新技术或引领行业发展
金融界2024年9月27日消息，国家知识产权局信息显示，浙江驰拓科技有限公司申请一项名为“半导体器件制备方法及半导体器件、磁传感器或磁存储器”的专利，公开号CN A，申请日期为2023年3月。
专利摘要显示，本发明提供了一种半导体器件制备方法及半导体器件、磁传感器或磁存储器，该半导体器件制备方法通过在衬底上依次沉积低电阻率的第一金属层、和高电阻率的第二金属层，之后一起刻蚀第二金属层和第一金属层，形成多根底部金属连线，再旋涂填充物后刻蚀填充物和第二金属层，以在每根底部金属连线上形成多个相互分离的底电极。同时，还使底电极上表面与底部金属连线上表面之间的高度差小于第二金属层的厚度，且大于设定阈值。从而后续在制备磁性隧道结的刻蚀过程中，即使需要过刻蚀，也不会刻蚀到低电阻率的第一金属层，从而减少刻蚀制备磁性隧道结过程中的反溅问题，减少污染。同时降低底部金属连线的线阻。
本文源自：金融界
