三星电子宣布 3D 芯片封装路线图，HBM4 有望采用 3D 封装技术

2023年，三星电子曾表示将推出能够以更小的尺寸集成高性能芯片所需的存储器及处理器的先进3D芯片封装技术。据《韩国经济日报》报道，今年6月在美国San Jose举行的“三星代工论坛”上，三星公开表示将在年内为HBM提供3D封装服务。

目前，HBM芯片主要采用2.5D技术封装。据业界和三星电子有关人士透露，三星的3D芯片封装技术有望在第六代HBM系列产品HBM4上面市。

继黄仁勋在 2024上透露了Rubin之后，三星宣布了其3D HBM封装路线图，这是该公司在之后即将推出的AI平台架构。据报道，将配备8个HBM4芯片，而Rubin超级GPU将配备12个HBM4芯片，计划于2026年发布。

目前，三星的SAINT ( )平台包括SAINT S、SAINT L、SAINT D三种3D堆叠技术。

“SAINT S”是在CPU等逻辑芯片上垂直堆叠SRAM，“SAINT L”是在其他逻辑芯片或应用处理器(AP)上堆叠逻辑芯片。而SAINT D则需要将DRAM与CPU、GPU等逻辑芯片垂直堆叠。

《韩国经济日报》分析称，与在硅中间层上水平连接HBM芯片和GPU的2.5D技术不同，3D封装将HBM芯片垂直堆叠在GPU上，可以进一步加快数据学习和推理处理的速度，位于芯片之间的薄衬底可以使芯片能够相互通信和协同工作。

据《韩国经济日报》报道，三星电子计划以方式提供3D HBM封装。该报告指出，为了实现这一目标，其先进的封装团队将垂直互连其存储业务部门生产的HBM芯片，以及由其代工部门为无晶圆厂公司组装的GPU。

至于三星的长期竞争对手台积电，其晶圆基板芯片(Chip on Wafer on ，简称CoWoS)一直是AI革命的关键推动者，它允许客户在一个中间处理器上安装更多的处理器内核和HBM堆栈。据报道，台积电在5月份也发表了类似的声明，称其在制造HBM4时采用了12nm和5nm工艺节点。

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