SK 海力士不会推迟大规模生产 12 层 HBM3E，AI 芯片市场持续增长

全球第二大内存芯片制造商SK 海力士公司首席执行官Kwak Noh-jung表示，公司不会推迟大规模生产和供应其最先进的 AI 芯片12层HBM3E，这些芯片将提供给包括在内的客户。

Kwak Noh-jung周二在首尔半导体日活动间隙告诉记者：“我们年底前大规模生产 12 层 HBM3E 的计划没有变化。就出货和供应时间而言，一切进展顺利。”

与此同时，的一位高级研究员预计，受和其他 AI 芯片制造商需求飙升的推动，HBM或高带宽内存市场明年将继续保持强劲增长。HBM芯片需求强劲增长。

在周二于首尔举行的 韩国路演上，研究业务高级副总裁 Avril Wu 表示，她预计明年全球 HBM 市场将增长 156%，从今年的 182 亿美元达到 467 亿美元。其在整个 DRAM 市场的份额预计将从今年的 20% 上升到 2025 年的 34%。

表示，从主要 AI 解决方案提供商的角度来看，HBM 规格要求将显著转向 HBM3E，预计12层堆栈产品将会增加。该公司补充说，这一转变有望提高每芯片的 HBM 容量。

Avril Wu表示，在HBM产品中，第五代HBM芯片 HBM3E的份额预计将从今年的 46% 增加到 2025 年的 85%，主要由 的 GPU推动。

Avril Wu表示，明年将继续主导 AI 市场，三星电子、SK 海力士和美光科技等主要内存芯片制造商之间的竞争将愈演愈烈，以争取这家美国 AI 芯片设计公司作为客户。

Avril Wu表示，尽管超威半导体公司 (AMD) 等公司正在提高其 AI 芯片的销量，但 将在 2025 年消耗掉 HBM 总产量的 73%，高于今年的 58%。她表示，谷歌的 HBM 消耗量预计将从 18% 降至 11%，AMD 的份额将从 8% 降至 7%。

的研究人员预测，第六代 HBM4 的样品将于明年晚些时候发布，预计 2026 年将被 等公司正式采用。