武汉新芯启动IPO辅导备案报告支持长江存储在关键

近日，武汉新芯集成电路股份有限公司（以下简称“武汉新芯”）在湖北证监局披露IPO辅导备案报告，标志着武汉新芯正在稳步推进上市进程。

公开资料显示，成立于2006年4月21日的武汉新芯，是一家专注于NOR Flash存储芯片的集成电路制造企业，拥有华中地区首条12英寸集成电路生产线项目。截至2017年底，武汉新芯NOR Flash晶圆出货量已超过75万片，覆盖从消费类到工业级、乃至汽车规范的全部NOR Flash市场，并于当年实现扭亏为盈。2020年，武汉新芯宣布，其自主研发的50纳米浮栅式代码型闪存（SPI NOR Flash）芯片实现全线量产。

本次IPO辅导备案报告显示，武汉新芯的法定代表人为杨士宁，控股股东为长江存储科技控股有限责任公司（持股比例：68.1937%），辅导协议签署时间为2024年4月9日，辅导机构为国泰君安证券股份有限公司、华源证券股份有限公司。本轮投资方包括了武汉光谷半导体产业投资有限公司、中国银行、湖北集成电路产业投资基金等30家知名投资机构。

值得注意的是，武汉新芯此前为长江存储的全资子公司，今年3月初，武汉新芯宣布首度接受外部融资，注册资本由约57.82亿人民币增至约84.79亿人民币。资料显示，2月29日，武汉新芯发生多项工商变更，新增中国互联网投资基金（有限合伙）、中银金融资产投资有限公司、建信金融资产投资有限公司、农银金融资产投资有限公司等股东。同时，武汉新芯注册资本由约57.82亿人民币增至约84.79亿人民币，增幅达46.64%。

分析人士指出，武汉新芯此次启动IPO，目的是支持长江存储在关键发展时期的大规模扩张。目前长存集团的体量庞大，要在三年内实现上市难度较高，将武汉新芯作为上市主体，也提供了一个可预见的退出渠道。

或为国内首家HBM代工厂

武汉新芯在今年年初还发布了《高带宽存储芯粒先进封装技术研发和产线建设》招标项目，项目显示，公司会利用三维集成多晶圆堆叠技术，打造更高容量、更大带宽、更小功耗和更高生产效率的国产高带宽存储器(HBM)产品。拟新增设备16台套，拟实现月产出能力>3000片(12英寸)。

国内证券机构认为，武汉新芯系长江存储控股子公司，发布招标预示着长江存储或其他潜在客户拥有DRAM产品制造能力，大幅提振了国内产业化信心。同时，伴随着 技术的大量使用，有望进一步提升先进封装设备制造企业的需求。

2018年12月3日，武汉新芯宣布基于其三维集成技术平台的三片晶圆堆叠技术研发成功。这标志着公司在三维集成技术领域取得了重要进展，能够实现更高密度和更复杂结构的芯片集成。

资料显示，武汉新芯自2012年开始布局三维集成技术，并于2013年成功将该技术应用于背照式影像传感器，良品率高达99%。随后陆续推出了硅通孔（TSV）堆叠技术和混合技术，还在3D NAND项目上取得了突破性进展，第一个具有9层结构的存储测试芯片通过了存储器功能的电学验证。

2022年时，武汉新芯还正式开始进军物联网应用市场，其与乐鑫科技达成存储器芯片产品与应用方案开发方面战略合作，之后武汉新芯在乐鑫科技各大平台陆续导入FG 50nM NOR Flash系列产品，包括KGD合封方案及封装片，其出货量和销售额均保持着超150%的年复合增长率逐年递增。

目前，武汉新芯在三维集成多晶圆堆叠技术方面的研发进展主要体现在三片晶圆堆叠技术的成功研发、三维集成技术在背照式影像传感器等领域的应用、高带宽存储器领域的技术研发及产业化工作，以及3D NAND项目的突破性进展。

国产晶圆代工，成为重点。

随着国内半导体市场不断发展，晶圆厂的重要性愈发凸显。

据统计，中国目前已建成的晶圆厂有44家（12 英寸晶圆厂 25 座、6 英寸晶圆厂 4 座、8 英寸晶圆厂及产线 15 座），另外还有22家晶圆厂在建（12 英寸晶圆厂 15 座，8 英寸晶圆厂 8 座）。

其中先进制程的研发和生产主要集中于12英寸晶圆厂上，受到手机、PC、数据中心、自动驾驶等下游应用高速发展的影响，12英寸晶圆需求量快速上升，逐渐成为行业主流。此外，生产12英寸晶圆虽然在成本比生产8英寸晶圆高出约50%。但12英寸晶圆的芯片输出却几乎是8英寸晶圆的三倍，实际上每个芯片的成本反而降低了约30%。

可以看到，行业趋势正在促使设备厂商将业务重心倾向12英寸。中国也在12英寸晶圆领域迅速扩张。除了建成和在建的40座12英寸晶圆厂，中国市场上还有9座正在计划中。统计中的49座晶圆厂的规划产能总计417.3万片/月。

值得一提的是，目前国内10大晶圆厂中，有5家为外企，分别为三星、英特尔、SK海力士、TSMC、联芯，而大陆本土的企业也有5家，分别为中芯国际、华虹、华润微电子、西安微电子所、武汉新芯。

伴随着国内半导体企业的发展，产能需求日渐增长，这些本土晶圆代工厂也成为了兵家必争之地。

2012年，当时还是美商的豪威（）就想要入股武汉新芯，确保代工产能无虑。当时武汉新芯和中芯国际刚解除代管关系，不只是是豪威，美光当时也想要运作想要入股。

后来武汉新芯保持股权独立，并与豪威合作开发后段 BSI 技术，又与飞索 合作 NOR Flash 芯片，最后成为中国 3D NAND 存储芯片的平台，和长江存储建立起了深厚的联系，推动了国内3D NAND 存储芯片的发展。

如今武汉新芯推动IPO上市，不止是国产晶圆代工的进步，也是为国产HBM打入了一剂强心针。

感知芯视界媒体推广/文章发布 马女士 (微信同号)