（快讯）Q2NAND、DRAM合约价涨15-20%、13-18%

快讯摘要

NAND、DRAM价格波动稳定，预估Q2 NAND、DRAM合约价分别涨15-20%、13-18%。铠侠Q1扭亏为盈，看好NAND市场，HBM产业链增长。SK海力士与台积电敲定下一代HBM量产计划，建议关注赛腾股份等。中美贸易摩擦或影响市场。

快讯正文

【NAND市场保持复苏，价格相对稳定】上周，NAND颗粒现货价格的波动范围在-2.09%至3.40%之间，平均呈现0.21%的涨幅。在22个品类中，有8个品类价格保持不变，9个品类价格上涨，5个品类价格下跌。集邦咨询上调对Q2 NAND Flash合约价的季涨幅预测至约15%到20%。铠侠公司四季度的业绩扭亏为盈，预计NAND供需平衡持续改善，价格看涨。

【DRAM价格小幅波动，部分产品需求稳健】上周DRAM现货价格稍有波动，18个品类中，平均涨跌幅为0.25%。5个料号价格上涨，13个料号价格下降，无料号价格保持不变。集邦咨询预计，二季度DRAM合约价的季涨幅将上调至13%至18%。HBM市场方面，买方为应对预期中的第三季度供应短缺，开始在第二季度提前备货。

【SK海力士与台积电合作量产下一代HBM】科创板日报披露，SK海力士和台积电已就下一代高带宽存储器(HBM)的合作量产达成一致。台积电将负责前端工艺，而SK海力士则将处理晶圆测试和HBM堆叠。预计HBM4基片将由台积电的7nm制程制造。

【SSD价格小幅调整，嵌入式市场稳定】上周，eMMC价格出现了小幅下调，平均跌幅为-0.69%，而UFS价格则保持稳定。CFM闪存市场报道指出，部分终端品牌正在积极引入更多存储供应商，以减少存储行情周期性波动的影响。由于消费类SSD需求疲软，渠道和行业市场出现竞价出货，导致部分SSD价格小幅下跌。然而，由于嵌入式资源与服务器供应的竞争，稀缺资源的价格缓慢上升，加上品牌终端的需求释放，支撑了现货嵌入式市场的稳定发展。

【投资建议指向HBM产业链和存储芯片复苏】投资者持续看好HBM产业链的成长机会，以及存储芯片的周期性复苏。推荐关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等涉及HBM的企业。存储芯片供应链因供应端提价、库存正常化和AI技术推动的HBM、SRAM、DDR5需求增长，显示出回升迹象，建议关注东芯股份，同时留意恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利、深科技等相关企业。

【风险提示涵盖贸易摩擦与需求风险】市场参与者需要警惕中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不达预期以及国产替代进程不及预期等潜在风险。

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