三星高带宽存储器未通过英伟达测试被迫暂停测试

三位知情人士表示，由于发热和功耗问题，三星电子最新的高带宽存储（HBM）芯片未通过英伟达测试，该测试被迫暂停。

消息人士称，这些问题影响到三星的HBM3芯片，这是目前人工智能（AI）图形处理器（GPU）中最常用的第四代HBM标准，也影响了这家韩国科技巨头及其竞争对手今年将推向市场的第五代HBM3E芯片。

这是三星未能通过英伟达测试的原因首次被透露。

三星在一份声明中表示，HBM是一种定制存储产品，需要“根据客户需求进行优化”，并补充说，该公司正在通过与客户的密切合作来优化其产品。

三星拒绝对具体客户发表评论。英伟达拒绝发表评论。

HBM是一种动态随机存取存储器，于2013年首次推出，其中芯片垂直堆叠以节省空间并降低功耗，有助于处理由复杂的AI应用产生的大量数据。随着生成式AI热潮的兴起，市场对复杂GPU的需求飙升，对HBM的需求也随之飙升。

英伟达在全球AI应用GPU市场占据约80%的份额。

三位消息人士称，三星自去年以来一直在努力通过英伟达的HBM3和HBM3E测试。消息人士称，三星8层和12层HBM3E芯片最近一次测试失败的结果于4月公布。

与三星形成鲜明对比的是，SK海力士是英伟达的主要HBM芯片供应商，自2022年6月以来一直供应HBM3。该公司还于3月底开始向一位不愿透露姓名的客户供应HBM3E。消息人士称，这些芯片已运往英伟达。

美光是另一家主要的HBM制造商，该公司也表示将向英伟达提供HBM3E。

目前尚不清楚三星是否可以轻松解决这些问题，但消息人士表示，未能满足英伟达的要求已加剧业界和投资者的担忧，他们担心三星的HBM技术可能会进一步落后于竞争对手SK海力士和美光。

近期，SK海力士生产主管Kwon Jae-soon表示：“我们已经成功地将HBM3E芯片量产所需的时间缩短50%，达到大约80%范围的目标良率。”

这标志着SK海力士首次公开披露HBM3E的生产信息。此前，业界预计SK海力士的HBM3E良率在60%~70%之间。

Kwon Jae-soon强调：“我们今年的目标是专注于生产8层HBM3E。在人工智能（AI）时代，提高产量对于保持领先地位变得更加重要。”

制造HBM需要垂直堆叠多个DRAM，与标准DRAM相比，工艺复杂性更高。特别是HBM3E的关键部件硅通孔（TSV）的良率一直较低，在40%~60%之间，使其改进成为重大挑战。

继向AI半导体领导者英伟达近乎独家供应HBM3后，SK海力士于今年3月份开始供应8层HBM3E产品，并计划在今年第三季度供应12层HBM3E产品。12层HBM4（第六代HBM）产品计划于2025年推出，16层版本预计将于2026年投入生产。

快速增长的人工智能市场推动SK海力士下一代DRAM的快速开发。到2023年，主要用于人工智能应用的HBM和大容量DRAM模块按价值计算将占整个存储市场的5%左右。SK海力士预测，到2028年，这些AI存储产品将占据61%的市场份额。