美光在 HBM 内存领域崛起，能效优势成关键因素

IT之家 6 月 3 日消息，韩媒 近日报道指，在优异能效等因素下，美光正迅速在 HBM 内存领域成为 SK 海力士和三星电子两大韩国存储企业的威胁。

由于多重影响，美光传统上在 HBM 领域处于弱势。但美光在 2022 年大胆放弃了 HBM3 的量产，将精力集中在了 HBM3E 内存的研发和改进上。

这一决策收获了丰硕的成果：美光已接获 HBM 最大需方英伟达的订单，并开始向英伟达 H200 AI GPU 出货 HBM3E 内存。

美光迅速成为韩厂威胁的重要原因之一是能效优势：美光宣称其 8Hi 堆叠的 24GB HBM3E 内存功耗比竞品低 30%。

AI 需求爆发的当下，低功耗技术逐渐成为业界关注的焦点。更节能的 HBM3E 内存可降低系统发热和用电量，减少散热需求，最终降低 AI 数据中心的 TCO。

此外，美国渴望扩大半导体自给自足率，在这一大背景下美光获得了美国政府大量资金支持，得以新建大型存储晶圆厂。

美光的美国身份也使其更容易接触英特尔和 AMD 这另外两家 AI 芯片企业，便于拿下更多的 HBM 订单。

而在产能方面，根据 集邦咨询今年 3 月的研报，美光在 2023 底的 HBM 产能仅有每月 3000 片 12 英寸晶圆，占到整体市场的 3.2%。

到 2024 年底，美光有望实现每月 20000 片晶圆的 HBM 产能，市场占比也大幅提升至 11.4%。

在美光未来产品方面，根据IT之家此前报道，其单堆栈容量可达 36GB 的 12Hi HBM3E 内存已于 3 月初完成采样，计划 2025 年实现大规模量产。

展望更远的 HBM4 世代，韩媒称美光计划在 2025 下半年实现 HBM4 内存的开发，HBM4E 的开发完成则落在 2028 年。

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