全球氮化镓行业领导者英诺赛科递交上市申请，采用 IDM 业务模式引关注
近日,全球氮化镓行业领导者英诺赛科向联交所递交上市申请,联席保荐人为中金公司、招银国际。
其招股书显示,英诺赛科专注于第三代半导体氮化镓的应用与研发,是全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的公司、全球最大的8英寸硅基氮化镓器件制造商,也是全球唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的公司。
全球少有的IDM半导体企业
为了能够对设计、制造到测试的整个过程进行自主控制,英诺赛科采用IDM业务模式。据悉,由于在规模投入和运营成本等方面的门槛较高,至今全球范围内仅有极少数企业能够维持IDM运作模式。
在IDM模式下,公司的研发及制造工作在整个产品开发及交付过程中能够实现无缝协调,主要产品在全流程控制中实现了标准化生产,使其能够满足广大客户的需求,并迅速扩大生产规模。同时,基于对氮化镓技术的持续优化,公司能够实现公司更有效地管理成本,从而能够采用更具竞争力的定价,进一步凸显公司的竞争优势。
根据弗若斯特沙利文的资料,按收入计,英诺赛科于2023年在全球所有氮化镓功率半导体公司中排名第一。截至2023年12月31日,英诺赛科拥有全球最大的氮化镓功率半导体生产基地,产能达到每月10,000片晶圆。相较于6英寸硅基氮化镓晶圆,公司先进的量产技术亦使晶圆晶粒产出数增加80%,单一器件成本降低30%,体现了其在成本控制与生产效率上的绝对优势。
全球化布局 氮化镓出货量全球第一
公司在发展中国内地市场的同时,不断拓展境外市场。公司在苏州、珠海建立工厂的同时,还在硅谷、首尔、比利时等地设立子公司,2023年公司境外销售收入近人民币5800万元,占同期总收入近10%。全球化的业务布局,有助于迅速提升公司的知名度与全球影响力,推动公司业务的持续高速发展。
此外,公司在全球有约700项专利及专利申请,涵盖芯片设计、器件架构、晶圆制造、封装及可靠性测试等关键领域。凭借在GaN技术方面的全面专业技术,英诺赛科提供高性能及可靠的GaN分立器件,产品研发范围覆盖15V至1,200V的低、中及高电压范围,并提供不同的封装选择。
截至2023 年12 月31 日,英诺赛科氮化镓分立器件累计出货量超过5 亿颗,系目前全球氮化镓出货量最大的企业。根据弗若斯特沙利文的数据,公司已在氮化镓应用的多个子领域取得突破,使我们成为唯一一家与全球主要公司进行供应合作的中国氮化镓半导体芯片公司。在2023年,英诺赛科已向中国内地和海外(包括亚洲、欧洲和北美)约100名客户提供了氮化镓产品。
