三星今年将推出 HBM 3D 封装服务，内存技术迈入新里程碑
据《韩国经济新闻》最新报道，科技巨头三星今年将推出备受期待的高带宽内存（HBM）3D封装服务，这一创新举措预示着内存技术将迈入新的里程碑。
去年，三星宣布了其3D AI芯片封装平台“SAINT”（三星先进互连技术），该平台涵盖了三种前沿技术：SAINT-S，用于垂直堆栈SRAM与CPU；SAINT-D，实现CPU、GPU等处理器与DRAM内存的垂直封装；以及SAINT-L，专注于应用处理器（AP）等逻辑芯片的堆叠。经过持续的研发与优化，这一系列技术终于将在今年正式投入使用。
三星此次推出的新3D封装技术采取了在处理器上直接垂直堆叠HBM芯片的方法，这与传统的通过硅中间层水平连接HBM芯片和GPU的2.5D技术（如I-CUBE）存在显著差异。垂直堆栈的方式省去了硅中间层的需求，尽管这增加了制程的复杂性，但也带来了能够制造新型HBM内存基础芯片的可能性。
借助3D封装技术，数据传输速度将得到显著提升，信号质量也将大幅改善，同时功耗和延迟性有所降低。然而，这一技术的实施成本相对较高。为此，三星计划通过提供服务来推广其先进的3D HBM封装，其中内存业务部门将负责生产HBM芯片，而代工部门则为无晶圆厂提供处理器的组装服务。
值得注意的是，在逻辑芯片上安装HBM需要精细的芯片设计。目前市场上尚未发现有知名公司的处理器可以直接安装HBM，但这一技术预计将在今年至2025年上半年期间逐步推出。
展望未来，三星已设定了更为宏大的技术目标。公司计划到2027年推出一体化异质整合技术，该技术有望将两层逻辑芯片、HBM内存，甚至协同封装光学器件（CPO）实现高度整合，从而为未来的高性能计算和人工智能应用提供更为强大的支持。
