高护城河下供不应求，HBM 技术成 AI 大模型爆火下的内存新宠

高“护城河”下的供不应求

简单来说，HBM的出现，上演了一出青出于蓝而胜于蓝的好戏。

作为一种创新的3D堆叠DRAM技术，它通过将多层DRAM芯片垂直堆叠，使用高带宽的串行接口与GPU或CPU直接相连，从而提供超过DRAM的带宽和容量。尤其是在AI大模型爆火的当下，内存的瓶颈也催生了HBM的需求。

HBM示意图

在去年年底的全球超算大会上，英伟达也积极为这种技术背书。其推出的H200搭载6颗HBM3E，内存和带宽实现了大跨步地提升。经过专业机构测算，一张英伟达H100对应的HBM价值量约1500美元，就可见其高价值量。

HBM的性能不断提高

虽然HBM的原理说起来容易，但实际生产起来还是有着很高的技术工艺和客户认证壁垒的。这个通过行业的竞争态势就可见一斑。HBM市场牢牢地被三星、美光、海力士所垄断。由于海力士HBM3产品性能领先，因此其也抱住了英伟达的大腿，成为英伟达服务器GPU的主要供应商。

三星则主攻一些云端客户的订单，基本上和海力士的市场竞争力旗鼓相当。美光则希望实现弯道超车，跳过了HBM3，将主要精力放在了更厉害的HBM3E产品上。据公司自己透露，其HBM3E高带宽内存将用于英伟达公司的H200芯片。但是仅从当下来看，美光的市场占有率和前面两个玩家有一些差距。

但不管怎样，三位存储芯片的大佬都在扩产能上不留余力。比如海力士已经放下豪言壮语，计划到2028年投资高达748亿美元，其中80%将用于HBM的研发和生产，而且将下一代HBM4芯片的量产时间提前到2025年。

HBM产线晶圆投入量

从目前来看，上述三位玩家已经表示，今年的HBM供应能力已全部耗尽，明年的产能已经大部分售罄。据专业机构分析，今明两年HBM需求的动态缺口约为产能的5.5%和3.5%。

产业链上找机会

对于这个高壁垒的行业，国内HBM的国产化有一说一，才刚刚起步。

比如武汉新芯和长鑫存储正处于HBM制造的早期阶段，并将重点放在了HBM2的开发上，主要是为了应对未来AI和高性能计算（HPC）等领域的需求。华为也准备通过投资国内的HBM玩家，确保国内产业链的稳定供应。

存储芯片玩家布局情况

而如果我们把HBM的生产工艺打开，你会发现其主要包括TSV（硅通孔）、凸点制造和堆叠三大关键工序。其中，TSV可以说是HBM生产流程中最核心的工艺，也是价值量最高的环节（占封装成本30%）。

而在TSV中，刻蚀又占据重要的一环。从刻蚀设备上来看，目前国外主流深硅刻蚀设备主要由美国应用材料、泛林半导体等设备玩家们控制，但是国内玩家的也在积极突破。比如北方华创（）、中微公司（）等玩家生产的等离子刻蚀机，也能满足大多数生产工艺的需要。

英伟达一声吼，小弟都得抖三抖

其实，随着存储芯片价格回升，不止是我们开篇提到的头部玩家，国内相关玩家的业绩也在好转。比如佰维存储（）今年上半年营业收入同比增长了至少169%，归母净利润同比增长了至少194%。普冉股份（）今年4-5月营业收入较去年同期增长了131%，这些都是行业回暖的标志。

只是国内玩家的业绩增长幅度还是小于头部的TOP3，但是大鱼吃肉，小鱼喝汤的神仙日子还是不错的。

但是HBM的出现，让存储行业再次出现了结构性的快速增长机会。尤其是无论是以英伟达为代表的GPU还是以谷歌为代表的ASIC，在内存上均采用 HBM，更是让很多玩家挤破脑袋想进入这个行业。

据专业机构分析，HBM需求量在今明两年将翻倍增长，明年需求量有望达20.8亿GB，市场规模超过300亿美元。封装、材料、封测，或许是国内玩家最值得切入的三条细分领域。

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