TrendForce：DRAM 及 NAND 闪存产业 2024 年营收增长显著，HBM 崛起成关键因素
发布了新的调查报告，显示受惠于位元需求成长、供需结构改善拉升价格，加上高带宽内存（HBM）等高附加价值产品的崛起，预计DRAM及NAND闪存产业2024年的营收按年增长幅度分别为75%和77%。同时2025年将延续增长势头，预计DRAM及NAND闪存产业的营收按年增长幅度分别为51%和29%，将创下历史新高。
预计，DRAM均价在2024年将增长53%，到2025年还将增长35%，从而推动DRAM产业营收分别达到907亿美元和1365亿美元。推动DRAM产业营收增长有四项因素，包括：HBM的崛起，预计2024年将贡献DRAM位元出货量5%、营收20%；DRAM的正常迭代；原厂缩减资本支出和产能的分配；服务器需求的复苏。
此外，DDR5和/5X等高附加价值产品的渗透同样有助提高平均价格。预计DDR5将分别贡献2024、2025年 DRAM位元出货量40%和60-65%，/5X则会贡献2024、2025年 DRAM位元出货量的50%和60%。
NAND闪存方面，2024/2025年产业营收将分别达到674亿美元和870亿美元。企业级大容量QLC SSD的崛起、智能手机采用QLC UFS存储、原厂缩减资本支出和产能的分配、以及服务器需求的复苏都推动了NAND闪存产业营收的增长。其中QLC将贡献2024年NAND闪存位元出货量20%，2025年的比重会进一步提升。此外，QLC也将逐步渗透到智能手机，今年第四季度起部分厂商会启用对应的方案，苹果预计2026年开始导入到。
随着存储器产业营收创下新高，制造商将有足够的现金加速投资，预计2025年DRAM和NAND闪存产业的资本支出将分别增长25%和10%。同时也会带动对硅晶圆、化学品等上游原料需求，存储器的成本将不可避免地上涨。对于ODM/OEM厂商来说，这种价格上涨不一定能完全反映在产品零售价格上，利润有可能被压缩，导致终端销量受到影响、需求下滑。
