三星与台积电联手生产无缓冲 HBM4，能效提高 40%，延迟降低 10%

据报道，三星与台积电的合作将提供 英伟达和谷歌等客户要求的“定制芯片和服务”。与现有型号相比，无缓冲HBM4的能效将提高40%，延迟可降低10%。

9月9日消息，据《韩国经济日报》报道，台积电生态系统和联盟管理负责人 Dan 上周在 2024 论坛上表示，三星和台积电正在联手生产无缓冲高带宽内存 （HBM）。

报道称，三星与台积电的合作将提供 英伟达（）和谷歌（） 等客户要求的“定制芯片和服务”。

与现有型号相比，无缓冲 HBM4 的能效将提高 40%，延迟可降低 10%。HBM 已被广泛用于 AI 计算。

虽然在逻辑制程代工方面，三星是台积电的竞争对手，但台积电并不生产 DRAM。然而，在 AI 处理器协作中采用多晶粒封装或者所谓的“”小芯片先进封装的情况正在增加，其中就包括HBM。

并且当HBM进入到新一代的HBM4时，会采用基于逻辑制程的基础芯片，使得客户可以加入自己的IP，以实现定制化，提升HBM的效率。而对于该逻辑制程的基础芯片，三星和SK海力士都将允许客户自行设计，并可选择外部的逻辑制程晶圆代工厂来生产。

消息人士也表示，虽然三星能够提供全面的 HBM4 制造服务，包括内存生产、（逻辑制程基础芯片）代工和先进封装，但它希望利用台积电的技术来获得更多客户。

此举是三星可能将是试图反击竞争对手 SK 海力士的一个举措，后者以 53% 的标价成为领先的 HBM 供应商，而三星只有 35%。

值得注意的是，SK 海力士、三星和美光都在推出 HBM3E DRAM，并计划在 2025 年推出 HBM4 格式。SK 海力士最近宣布，它打算开发下一代HBM，性能将是当前产品的20-30倍，并可提供客户定制的产品。