台积电 9 月底接收首套 High-NA EUV 曝光机，将拉大与三星竞争差距

韩国媒体引述台湾媒体的报道指出，芯片代工龙头台积电将于9月底从荷兰ASML公司接收第一套High-NA EUV曝光机──EXE:5000，这对对于全球领先台积电来说是一个重要的里程碑，但是对竞争对手三星来说，无疑地将拉大两家公司的竞争差距。

报道表示，最初台积电对于早期就采用High-NA EUV曝光机持保守态度，原因是成本过高，且关系到生产复杂性的优化问题。不过，针对AI芯片对先进制程需求的快速增长，促使台积电修改了策略。期望通过提前获得新一代EUV曝光机，未台积电在激烈竞争的半导体产业中保持其技术的优势。

报道强调，High-NA EUV曝光机将数值孔径从0.33增加到0.55，可在半导体芯片上达到更高分辨率和更精确的曝光作业。这项技术对于2纳米以下节点制程的开发至关重要，因为2纳米以下节点制程对于生产更小、更强大、更高效的芯片为重要关键，这使得每套High-NA EUV曝光机的价格约3.84亿美元，期也反映了其先进制程所需的大量投资。

台积电计划从A14节点制程开始采用High-NA EUV曝光机，并规划在2027年开始量产。随着英特尔在代工业务面临挑战，台积电拥有的领先技术，将可以巩固其在先进制程技术竞争中的领先地位。另一方面，相较于台积电，韩国三星在取得High-NA EUV曝光机的竞争中落后了，因此需要修改其发展策略。三星计划于2025年量产2纳米节点制成，到了2027年开始量产1.4纳米节点制成，这与台积电的发展蓝图保持一致。不过，三星必须验证其先进制程制程技术的良率状况，以以吸引大客户青睐，并缩小与台积电的差距。

根据市场研究公司的数据显示，台积电2024年第二季在代工市场上拿下了62.3%的市场占有率，大幅超过了三星电子11.5%的占比。根据一位韩国市场人士评论表示，三星电子将3纳米以下节点制成视为缩小与台积电差距的最佳战场，但是，引进High-NA EUV曝光机的落后时间越多，技术差距扩大的可能性也就越大。

报道强调，台积电推出High-NA EUV曝光机技术，凸显了半导体产业的激烈竞争，技术进步和战略投资对于维持市场领先至关重要。随着对AI带动应用的需求持续激增，先进制程技术的开发和商业化竞赛只会加剧，进而塑造半导体制造的未来格局。