3D硅基光电芯粒实现单片最高达8×256Gb/s的单向互连带宽
5月11日消息 据国家信息光电子创新中心公众号消息，近日，国家信息光电子创新中心（NOEIC）和鹏城实验室的光电融合联合团队完成了2Tb/s硅光互连芯粒（）的研制和功能验证，在国内首次验证了3D硅基光电芯粒架构，实现了单片最高达8×256Gb/s的单向互连带宽。
据了解，团队在2021年1.6T硅光互连芯片的基础上，进一步突破了光电协同设计仿真方法，研制出硅光配套的单路超200G 和TIA芯片，并攻克了硅基光电三维堆叠封装工艺技术，形成了一整套基于硅光芯片的3D芯粒集成方案。
2Tb/s 硅基3D集成光发射芯粒
硅光互连芯粒的侧向显微镜结构
该方案充分利用了硅光与CMOS封装工艺兼容的特点，相比于传统方案，3D芯粒能解决电芯片与光芯片间高密度、高带宽电互连的困难，显著降低射频信号在光-电芯片互连过程中的严重衰减。经系统传输测试，8个通道在下一代光模块标准的224Gb/s PAM4光信号速率下，TDECQ均在2dB以内。通过进一步链路均衡，最高可支持速率达8×256Gb/s，单片单向互连带宽高达2Tb/s。
8×224Gb/s硅基光发射芯粒输出眼图
据透露，该工作充分展现了3D集成硅光芯粒的优越互连性能，以及联合团队的领先自主研发水平。成果将广泛应用于下一代算力系统和数据中心所需的CPO、NPO、LPO、LRO等各类光模块产品中，为国内信息光电子技术的率先突围探索出可行路径。
硅光已经是目前全球光模块市场的主流技术之一。此前预计，使用基于SiP的光模块市场份额将从2022年的24%增加到2028年的44%。
