台积电 2nm 制程获重大突破，性能提升晶圆价格超 3 万美元
快讯摘要
10 月 5 日，台积电 2nm 制程获重大突破，性能提升，晶圆价格超 3 万美元，高于预期。
快讯正文
【10 月 5 日，台积电在 2nm 制程节点获重大突破】台积电在 2nm 制程节点上首次引入 Gate-all- FETs 晶体管技术，还结合了 技术。相比当前 N3E 工艺，N2 工艺在相同功率下性能提升 10%至 15%，相同频率下功耗降低 25%至 30%，晶体管密度提升 15%。台积电每片 300mm 的 2nm 晶圆价格可能超 3 万美元，高于预期的 2.5 万美元，目前 3nm 晶圆价格约 1.85 万至 2 万美元，4/5nm 晶圆价格在 1.5 到 1.6 万美元之间。
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