武汉太紫微光电科技攻克光刻胶原料配方，助力我国芯片制造突破瓶颈
10月15日，中国光谷诞生重大科技成果：武汉太紫微光电科技有限公司在全国率先攻克合成光刻胶所需的原料和配方，我国芯片制造关键原材料取得瓶颈性突破。该公司新型光刻胶产品已通过半导体工艺量产验证，即将量产。
太紫微公司成立于2024年5月，由华中科技大学武汉光电国家研究中心团队创立。团队主攻关键光刻胶底层技术研发，已在电子化学品领域深耕20多年。
该公司科研人员介绍，光刻胶是一种感光材料，用于芯片制造的光刻环节，工作原理类似于照相机的胶卷曝光。芯片制造时，会在晶圆上涂上光刻胶，在掩膜版上绘制好电路图。当光线透过掩膜版照射到光刻胶上会发生曝光，经过一系列处理后，晶圆上就会得到所需的电路图。
由于光刻胶是芯片制造的关键材料，国外企业对其原料和配方高度保密，目前我国所使用的光刻胶九成以上依赖进口。
“这是我国首次攻克合成光刻胶所需原料和配方，对我国逐步改变在集成电路领域的受制现状具有重大意义。”太紫微公司负责人、英国皇家化学会会员、华中科技大学教授朱明强表示，相较于全球同系列产品，该新型光刻胶在光刻工艺中表现出的极限分辨率达到120纳米，且工艺宽容度更大、稳定性更高。（记者张真真、通讯员康鹏、王冰倩）
