英特尔酷睿 Ultra 200S 系列性能低于预期，用户呼吁学习AMD 3D V-Cache技术
11 月 16 日消息，众所周知，AMD 已经在数据中心和消费级市场都提供了支持 3D V-Cache 的产品，最新的 R7 处理器目前甚至还会在第三方店铺因为供不应求而涨价。
自然而然，人们的注意力也开始转向英特尔，但该公司最近推出的酷睿 Ultra 200S 系列性能低于预期，不禁令人大跌眼镜。根据英特尔官方的说法，新 CPU 能效更高，但性能比前代产品低约 5%。
因此，很多用户开始呼吁英特尔学习AMD 推出包含3D V-Cache 模块的 CPU，但英特尔目前并未展示或提及类似的产品。
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英特尔技术传播经理 在接受 和 Bens 的采访时确认，英特尔也在开发一种配备大缓存的 CPU 产品，但这款产品将针对数据中心市场，而非主流的消费级市场，因为英特尔认为游戏市场相对较小、投资回报不及服务器市场。
AMD 的 CPU 是为非常特定的目标群体量身定制的，也就是游戏玩家。我们知道这项技术可以为游戏玩家带来很多好处，但它也伴随着权衡取舍和某些必须妥协的缺点。在这种情况下，如果我有一颗 X3D CPU，它可能不会在应用中表现如何出色，但那也没关系，因为这是故意的。从技术上讲，我们仍然可以控制它。这意味着，明年将会有一个带有缓存 Tile 的 CPU，但并非用于桌面…… 而是在服务器市场，这是一个完全不同的市场，其潜在覆盖范围比桌面 CPU 更广……（游戏 CPU）对我们来说并不是一个非常大的大众市场，我们仍会继续销售大量非游戏向的 CPU。
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实际上，虽然英特尔目前没有计划为消费者提供大缓存处理器的想法，但此前也曾申请过类似的“L4 缓存”——专利，说明英特尔技术部门至少考虑过这种技术路径。
按照 猜测，英特尔下一代至强系列 不但会整合现有英特尔的技术精华（如18A 节点、 3D、、 和 EMIB 3.5D），也将为其引入大缓存（注：英特尔称之为“本地缓存”）设计，有望实现惊人的性能提升。
从这一点来看， 恐怕是承载了其 CEO 基辛格乃至于整个英特尔公司未来所有的美好期望，预计将使用 Atom 内核来接替现有的 内核。
从架构和封装的角度来看， 将采用三个“活动”基板，每个基板承载四个 CPU 芯粒，而这 12 个 CPU 芯粒将通过 3D 技术进行键合连接，并在两侧配备两个 I/O 模块，通过 EMIB 3.5D 连接到 CPU，整个封装预计将拥有近 3000 亿个晶体管。
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虽然英特尔可以利用更先进的封装技术将缓存作为单独的部分整合到 CPU 中（封装在 Base Tile 中，以整体作为“计算模块”来调整数量），但为了更低的延迟，类似于 AMD 3D V-Cache 的多层芯片技术可能是一种更有效的解决方案。
