美光高带宽内存或获市场份额分析师将上调至瑞穗买入

智通财经获悉，美光科技(MU.US)一直是人工智能热潮的受益者之一，随着支出的增加，加上内存市场的广泛反弹，该股在过去12个月里上涨了近100%。瑞穗证券表示，美光的好日子可能会继续，因为该公司可能会在高带宽内存(HBM)领域获得市场份额。

在与美光公司的首席财务官Mark 和首席技术官Scott 会面后，瑞穗认为美光公司正在提升其HBM3E(高带宽内存3E)产品，其功耗比竞争对手低30%。这家投资公司表示，在人们对人工智能功耗的担忧日益加剧之际，这可能会推动美光的股价上涨。

Alpha的撰稿人、分析师 最近将美光的评级上调至“买入”，因为该公司有能力向英伟达(NVDA.US)推销其HBM3E封装。HBM3E是第五代高带宽内存，瑞穗认为这是美光与韩国SK海力士之间的“2匹马竞赛”。瑞穗表示，在英伟达不断增长的需求下，HBM供应紧张，这对美光来说是个好兆头。

分析师写道:“我们认为，潜在的收益率问题是，在一个关键供应商处，其1-alpha HBM3e的堆叠高度绑定延迟，这将使MU和Hynix在B100/B200/GB200平台上获得HBM3e的份额，从而推动从目前的增加路径约5%上升到2025年的约25%。”

分析师重申了对美光的买入评级，并将目标价从130美元调高至150美元，因内存价格预估上调。瑞穗表示，今年2月开始量产HBM3E芯片的美光公司，2024年和“2025年大部分时间”的高带宽内存可能已经卖光。由于整个行业仍然“紧张”，供应可能处于最低水平，从而推高价格。

下一版本的高带宽存储器HBM4可能最终需要台积电(TSM.US)的cocos - l，因为处理器的堆栈高度标准放宽了。分析人士说，美光正在使用一种名为热压缩非导电薄膜的技术，美光认为，与SK海力士的产品相比，该技术有助于提高封装密度、厚度一致性、更快的规格、更小的凸起和更好的堆叠高度间距。

瑞穗的分析师写道:“我们认为美观科技可能会在HBM4之后看到混合/3D键合进入商业评估阶段，可能会在2027/28年之后。”瑞穗分析师表示，这可能有助于HBM市场以约65%的复合年增长率增长，到2026年达到170亿至180亿美元。