AMD 计划采用 3nm 环绕栅极技术量产下一代芯片，或与三星合作
快科技5月30日消息，近日，AMD CEO苏姿丰在比利时Imec ITF World 2024大会上披露，AMD计划采用3nm环绕栅极（GAA）技术量产下一代芯片。
苏姿丰当时说，3nm GAA晶体管可提升效率及性能，封装、互连（）技术也有改善，这会让AMD产品变得更具成本效益、功耗效率（power ）也较高。
目前，三星电子是唯一一家商业化GAA 3nm芯片加工技术的芯片制造商，并于2023年成为全球首家将3nm制程节点应用至GAA晶体管架构的厂商。
这也被解读为AMD将与三星合作开发3nm GAA技术芯片，这一合作可能将帮助AMD在成本效益和能效方面取得优势。
与此同时，台积电的3nm产能已被苹果、高通等大客户全包下。台积电计划从2nm节点开始将GAA技术应用于其芯片制造工艺，预计将于2027年达到1.6nm工艺节点，并在2027-2028年左右开始量产1.4nm工艺。
业界分析人士指出，如果AMD与三星在3nm节点技术上合作，这将有助于三星缩小其在代工市场与台积电之间的市场份额差距。
长期以来，三星与AMD一直在图形处理单元（GPU）和高带宽内存（HBM）芯片方面进行合作，HBM近期成为人工智能设备的热门DRAM。
去年，三星和AMD签署了一份多年期合作扩展协议，将AMD的多代高性能、超低功耗的图像锐化功能引入三星应用处理器产品组合中。作为更广泛合作的一部分，三星还同意向AMD提供HBM芯片和一站式封装服务。
