三星电子 DS 部门负责人全永铉：将挑战转化为机遇，重振芯片业务

三星电子设备解决方案 (DS) 部门新任负责人全永铉 (Jun Young-hyun) 负责三星的芯片业务，他承认公司面临的挑战，并誓言要将其转化为机遇。全永铉周四在公司内部主页上发布的一条消息中表示：“对于公司面临的危机，我深感责任重大。

内存芯片业务曾经是无可匹敌的第一大业务，但现在正面临严峻挑战，我们的合同制造业务正努力跟上行业领先者的步伐。此外，我们的系统 LSI（芯片设计）部门也遇到了重大障碍。”

全表示，三星电子“积累了宝贵的专业知识，经历了非传统的研究经验，拥有一支出色的员工队伍，以及在无数过去的风险和危机中打造的坚实技术基础。”

“我相信，如果我们继续培养开放沟通和讨论的文化，我们就能迅速克服这一最新逆境。”

为了保持三星在内存芯片领域的领先地位，全永铉还要求管理层和员工保持团结。过去几年，三星面临着来自美光和SK 海力士的激烈竞争，SK 海力士在高带宽内存 ( HBM ) 市场已经超越了三星。

三星希望成为全球最大的HBM供应商。由于AI芯片市场的爆发式增长，HBM芯片的需求量巨大。

全永铉在公司内部公告栏上发布了就职信息，称“三星的半导体业务已有 50 年历史，并且一直保持着第一的位置。我们通过克服无数危机和挑战，获得了无与伦比的技术资产。我相信，通过利用积累的实力并培养半导体行业独有的沟通和对话文化，我们能够克服当前的挑战。”

三星电子最大的工会（占员工总数的22%，即28000人）决定下周罢工，原因是加薪要求未得到满足。这将是三星历史上的第一次罢工，被视为一个巨大的挑战。

全永铉没有提及即将举行的罢工，但他承认员工们的不懈努力。他强调，他和管理团队对这一充满挑战的局面深感责任重大。

全还强调了人工智能时代为半导体业务带来的黄金机遇，并重申他致力于通过规划正确的道路来抓住这一机遇。

三星电子的半导体业务去年亏损近 15 万亿韩元（109 亿美元），表明在经历了行业最严重的周期性衰退之一后，复苏速度慢于预期。该公司在高带宽内存芯片方面面临来自本土竞争对手 SK 海力士的激烈竞争，并且正在努力缩小与台积电在合同制造方面的差距。

上周，该公司罕见地进行了年中高管改组，全取代了前任领导人 Kyung Kye-hyun，凸显了半导体业务扭亏为盈的迫切需要。

三星半导体动荡背后

三星电子突然更换半导体业务领导层，此举被视为旨在克服半导体业务面临的复杂危机的人事调整。

5月21日，三星电子宣布任命未来业务规划组组长（副董事长）全永铉为设备解决方案（DS）部门新任负责人。原DS部门负责人景圭铉已调任未来业务规划组组长一职。

三星之所以在常规人事变动前约半年宣布“一分”意外消息，是因为半导体行业内部的危机。在行业整体低迷的背景下，仅去年一年的半导体业务就亏损了15万亿韩元，加之对人工智能高带宽存储器（HBM）的投资时机判断失误，导致竞争对手抢占先机，三星不得不重新制定技术差距战略。

事实上，SK海力士在内存市场一直稳坐亚军，如今正凭借高带宽内存（HBM）领域的进步，大力追赶三星电子，而在代工（半导体合同制造）领域，英特尔也向三星发起了挑战。三星必须捍卫的内存第一和代工第二的地位，现在正受到威胁。此外，代工市场绝对领先者台积电宣布将开始生产 HBM 的关键部件“基片”，这进一步表明三星正陷入困境。

目前，SK海力士是全球最大图形处理器（GPU）公司的第三代HBM（HBM3）独家供应商，占据HBM3市场90%以上的份额。三星电子虽然进入HBM3市场较晚，但未能通过的质量测试。SK海力士还先于三星成功向交付了第五代HBM（HBM3E），因此三星电子必须缩小与SK海力士在HBM市场份额上的差距。

在代工业务方面，缩小与行业领头羊台湾台积电的差距至关重要。英特尔已公开设定了到 2030 年超越三星电子的目标，是三星必须击退的另一个挑战者。据市场研究公司 的数据，去年第四季度台积电在全球代工市场的市场份额达到 61.2%，而三星电子的市场份额为 11.3%，差距扩大至 49.9 个百分点。三星电子是全球首个开发 3 纳米以下超精细工艺技术的公司，它希望全副董事长亲自监督开发和量产过程，这是其追求的关键一步。

全副会长肩负着振兴三星半导体业务的特殊使命，他是一名受过专业训练的工程师，也是三星内存成功的关键人物。他在 2000 年加入三星电子之前就职于 SK 海力士的前身 LG ，在 DRAM 和 NAND 闪存的开发和营销方面拥有丰富的经验，并升任内存部门的业务负责人。后来，他担任三星 SDI 的总裁兼董事会主席，领导电池业务，去年重返三星电子，负责未来业务规划小组。