三安光电碳化硅业务突破，8 英寸衬底外延工艺送样验证，产能年底将提升 50%以上

近日，上海证券报记者走进三安光电了解到，公司6英寸碳化硅衬底已实现对国际客户批量出货；8英寸衬底外延工艺调试完成并向重点海外客户送样验证，衬底产品良率水平居国内前列且稳步提升。

三安光电副董事长、总经理林科闯在接受记者专访时透露，公司碳化硅领域的合作意向及客户超过800 家；湖南三安今年年底项目达产后产能约36万片/年，较当前产能规模提升50%以上。

“从LED到化合物半导体制造，三安光电在20多年产业升级过程中，始终聚焦于行业最尖端的技术研究与应用。”林科闯介绍，三安光电现已形成LED、集成电路射频前端、光技术、电力电子四大业务板块，碳化硅业务的最新突破是公司潜心发展新质生产力的一个缩影。

产业方向均处新质生产力前沿

“尽管当前传统LED外延片行业竞争加剧，但一些细分领域仍有发展机会，比如车载显示、植物照明、激光器等。”林科闯表示，这些市场产品技术含量高、附加值高，由海外LED厂商占据主要份额，国内企业未来有望逐步实现国产替代。2023年，三安光电高端LED外延芯片营业收入同比增长13.99%，实现了LED产品结构向更高端和更前沿的初步调整。

谈及备受市场关注的射频及功率器件产业，林科闯介绍，移动终端（以手机为主）和基站是其最主要的应用领域。去年四季度以来，相关芯片需求快速回升，行业正迎来结构性回暖。未来，随着AI、物联网、5G-A等技术创新需求和通信制式升级迭代，射频前端市场前景良好。

林科闯表示，目前氮化镓器件广泛应用于低功率消费电子市场，并逐步向高功率数据中心、光伏逆变器、通信电源等应用场景渗透。三安光电建立了稳定量产的专业射频代工平台和产品封装平台，提供射频功放/低噪放、滤波器、SIP 封装等差异化解决方案，产品广泛应用于手机、WiFi、物联网、路由器、通信基站等市场。

对于碳化硅业务，林科闯表示，碳化硅技术进步和产能扩张，带动产品良率提升和成本下降，碳化硅功率器件有望逐步从高端车型下沉至中低端车型，在新能源汽车领域的渗透加速。

此外，三安光电在光芯片领域也是进展良多，用于200G和光模块的VCSEL芯片已开发完成，用于800G光模块的VCSEL芯片正在研发中，VCSEL芯片已在数通、车载雷达等领域获得大客户订单。根据数据，全球光芯片市场规模将从2022年的27亿美元增长至2027年的56亿美元，年复合增长率为16%。三安光电在该领域也有较多布局。

林科闯表示，全球半导体产业2023年经历了非正常性下滑，2024年第一季度行业机构调研数据显示，全球半导体销售额出现超过10%的增长。但当前各种不确定性因素依然存在，全球半导体产业短期内尚无法“快速反弹”，2024年大概率呈现“整体稳步恢复，细分领域结构性分化调整”的发展态势。

强研发重创新引领化合物“芯”潮流

“培育和发展新质生产力，既要在基础研发端厚积薄发，也要在产业化应用端加快转化落地。”林科闯表示，就半导体产业来说，因地制宜发展新质生产力，就是要打造出具有自我迭代能力的产业生态。

林科闯指出，在研发和技术创新方面的持续投入，是需要真金白银的。2023年，三安光电研发投入总额17.36亿元，占营业收入的12.35%，较上年增加1.37亿元。公司作为国内化合物半导体领域的龙头企业，技术与研发能力已达到国际先进水平。

与此同时，三安光电一直坚持“技术﹢人才”的科技成果产业化模式，以科技成果产业化为目标，不断开拓新业务。作为集成电路骨干企业，三安光电拥有国家级博士后科研工作站、国家级企业技术中心及院士工作站，此外还在厦门、硅谷、东京、慕尼黑、伦敦、新加坡设立了研发中心，销售机构分布在中国、日本、美国、英国和德国等，拥有由全球化合物半导体领域顶尖人才组成的技术研发团队。

“发展新质生产力，不但要持续推动原创性科技创新，还要催化出新产业、新模式、新动能。”据林科闯介绍，在三安近年来的发展中，开放创新的特点尤其突出。目前，湖南三安与理想汽车成立的合资公司苏州斯科半导体已进入试生产阶段，全尺寸的手工全桥功率模块样件已交付客户，工艺平台正在持续优化，预计今年8月正式量产。湖南三安与意法半导体在重庆设立的合资公司安意法，湖南三安持股比例为51%，意法半导体持股比例为49%。目前，该合资公司主厂房已封顶，将于2024年底通线，2025年逐步释放产能。

“引领‘芯’潮流、奉献新能源”。谈及未来发展，林科闯表示，三安光电将凭借雄厚的技术力量、领先的工艺水平和先进的制程设备，以更高的站位、更快的速度，致力于化合物半导体新材料与器件的研发、生产与应用，努力打造具备国际竞争力的半导体厂商。