高通骁龙 8 Gen4 或采用台积电 N3E 节点，公司评估台积电、三星双源生产战略
快科技6月14日消息，高通公司首席执行官 Amon近日在接受采访时表示，公司正在认真评估台积电、三星双源生产战略。
据悉，高通骁龙8 Gen4将在今年10月登场，这颗芯片完全交由台积电代工，采用台积电N3E节点，这是台积电第二代3nm制程。
因苹果、联发科等科技巨头都采用台积电3nm工艺，出于对台积电产能有限的考虑，高通有意考虑双代工厂策略。
此前有消息称骁龙8 Gen4原本计划采用双代工模式，但是三星3nm产能扩张计划趋于保守，加上良品率并不稳定，最终高通选择延后执行该计划。
不过高通并未放弃双代工策略，报道称高通要求台积电和三星提供2nm芯片样品，以便做进一步的评估，高通希望通过双代工策略降低SoC的生产成本，同时降低对台积电的依赖度。
资料显示，高通此前曾与三星合作过一段时间，当时骁龙888、骁龙8 Gen1等芯片将由三星代工，由于三星5nm制程工艺并不是很成熟，导致高通骁龙888处理器的表现不及预期，促使高通改投台积电的怀抱。
值得注意的是，三星计划在2025年量产2nm工艺制程，三星2nm应用了GAA FET架构，提供了比更好的静电特性。
如果三星2nm表现稳定且良率达标的话，不排除高通骁龙8系平台再次拥抱三星的可能。
