美光计划扩大 HBM 生产投资，争夺市场份额，应对人工智能热潮
内存半导体公司美光计划将主要用于英伟达人工智能（AI）半导体的高带宽内存（HBM）生产投资扩大到美国和马来西亚。有分析称，美光正寻求通过其最新标准产品HBM3E的商业化和客户认证来赢得信心，并认真追求领先企业SK海力士和三星电子的市场份额。
美光正在考虑扩建位于美国爱达荷州的HBM研发(R&D)中心和生产工厂，并在马来西亚建立新工厂。目前，美光的大部分 HBM 产量是在台湾台中工厂生产的。
随着人工智能热潮，美光正在努力争取主要客户对 HBM 的更多需求。
HBM 是一种提高了数据传输带宽的高性能 DRAM，主要与 人工智能图形处理单元 (GPU) 配合使用。近年来，随着人工智能半导体需求的增加，订单迅速增加。与 SK 海力士和三星电子相比，美光的市场份额非常低。去年的市场份额估计不到10%。
美光还有一个雄心勃勃的目标，即到 2025 年将其 HBM 市场份额提高到 20% 左右。因此，我们正在积极扩大设施投资。美光已经获得了等大客户的订单，这意味着它拥有稳定的供应基础，并已准备好实现其投资计划。
SK 海力士和美光已获得 HBM3E 认证，可用于 的‘H200’”，三星电子仍在等待批准。三星电子产品获得客户质量认可的时间越晚，美光科技增加其在 HBM 市场份额的优势就越大。英伟达等公司的人工智能半导体预计将受到全球客户的强劲需求，暂时难以避免供应短缺。
因此，HBM景气期将更加明显，存储半导体厂商之间的竞争可能会更加激烈。SK海力士还在韩国和美国建设新的HBM生产设施，美光追赶顶级公司的努力也获得了进一步的实力。
