陈嘉庚科学奖花落南大铌酸锂光子芯片项目 开辟光量子芯片新路线
今年是陈嘉庚先生诞辰150周年。记者从南京大学获悉，该校祝世宁院士与国防科技大学徐平研究员的“铌酸锂光子芯片”项目近日获得2024年度陈嘉庚科学奖。该项目在单个铌酸锂晶片上集成了纠缠光源、电光调制器、波导分束等多种功能器件，实现了片上光量子态的高效产生和高速操控，开辟了有别于硅基的光量子芯片技术路线。
据介绍，铌酸锂晶体是一种理想的光子学材料，化学性能稳定，传输损耗低，在当代信息光电子和激光领域有重要应用，被称为“光学硅”。
祝世宁院士团队曾利用准相位匹配原理，通过调控铌酸锂晶体中微结构铁电畴，研制出光学超晶格，成功应用于全固态激光器、电光调制器、高频滤波器等新型光电子器件，推动了相关技术发展。
此次获奖项目则将准相位匹配原理进一步拓展到量子光学与量子信息技术领域，研制出多种可产生和调控光量子态的铌酸锂光学超晶格，应用在光量子信息多个技术领域。
从2010年开始，该团队以研制铌酸锂光量子集成芯片为目标，于2014年首次将纠缠光子产生、电光调制、光子干涉、波分复用等不同功能单元集成到了同一铌酸锂波导芯片上，完成了芯片上量子态的可控操作，光子产率、调谐速率、调谐带宽等关键指标达到当时国际最好水平。
相关研究显示出铌酸锂芯片用于可编程、大规模光子集成的可行性，研制和开发了一批小型化、芯片化光量子器件，在国际上开辟了一条有别于硅基的光量子芯片技术路线。
据了解，陈嘉庚科学奖设立于2003年，每两年评选一次，2024年度共有5个项目获得该奖。
