哈尔滨科友半导体成功制备超厚碳化硅单晶，突破晶体厚度制约
本报讯（记者薛婧）记者从哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司（简称科友半导体）获悉，日前，该公司碳化硅晶体生长车间传来捷报，其自主研发的电阻长晶炉再次实现突破，成功制备出多颗中心厚度超过80mm，薄点厚度超过60mm的导电型6英寸碳化硅单晶，这也是国内首次报道和展示厚度超过60mm的碳化硅原生锭毛坯，厚度是目前业内主流晶体厚度的3倍，单片成本较原来降低70%，有效提高企业盈利能力。
据科友半导体技术总监张胜涛介绍，物理气相传输（PVT）法生长碳化硅单晶具有质量可控、工艺成熟的优势，但晶体厚度一直是主要制约，而溶液法在提高晶体厚度方面表现突出，但是目前仍尚未能实现真正的产业化生产。科友半导体基于自研电阻炉，通过借鉴溶液法的部分理念，破除了溶液法才能生长高厚度晶体的限制，充分利用了PVT法单晶稳定生长的优势，将两种制备方法的优势结合到一起，成功制备出大厚度晶体。
“大厚度晶体的成功制备标志着科友半导体突破了大厚度碳化硅单晶生长的关键技术难题，向大尺寸碳化硅衬底低成本量产迈出了坚实一步。”张胜涛说。
“晶体厚度达到60mm，几乎达到业内主流晶体厚度的3倍，单片成本降低到原来的30%左右，即成本下降幅度达到70%，同时由于单颗晶体的出片率大幅提升，相当于企业盈利能力翻了3倍。”张胜涛说。
科友半导体在哈尔滨新区打造产、学、研一体化的第三代半导体产学研聚集区，实现碳化硅材料端从原材料提纯到装备制造、晶体生长、衬底加工等全产业链闭合，致力成为全球第三代半导体关键材料和高端装备主要供应商。
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