长江存储再度起诉美光侵犯 11 项专利，要求停止销售并支付专利使用费

7月20日消息，据报道，中国3D NAND Flash大厂长江存储（YMTC）近日在美国加利福尼亚州北部地区再度对美光提起诉讼，指控这家美国公司侵犯了其11项专利，涉及3D NAND Flash及DRAM产品。长江存储要求法院勒令美光停止在美国销售侵权的存储器产品，同时支付专利使用费。

长江存储指控称，美光的96层（B27A）、128层（B37R）、176层（B47R）和232层（B58R）3D NAND Flash以及美光的一些DDR5 SDRAM产品（Y2BM系列）侵犯了长江存储在美国提交的11项专利或专利申请。

值得一提的是，2023年11月，长江存储还在美国加州北区地方法院对美光及其子公司美光消费类产品事业部提起诉讼，指控它们侵犯了其8项与3D NAND Flash相关的美国专利。

以下是诉讼中引用的八项专利：

：3D NAND存储器件及其形成方法

：非易失性存储器件及控制方法

：三维存储器件的直通阵列接触（TAC）

：三维存储器件的直通阵列接触（TAC）

：三维存储装置及其形成方法

：NAND存储器操作的架构和方法

：三维存储设备的读取时间

：多堆叠三维存储器件及其制造方法

今年6月7日，长江存储由在美国加利福尼亚州北区联邦地区法院提起诉讼，指控受美光资助的丹麦咨询公司 及其副总裁罗丝琳·雷顿（ ）散布虚假信息，破坏长江存储的市场声誉和商业关系。

显然，长江存储正试图通过专利来打击美光，以获得对抗美国打压的筹码。

美国商务部于2022年底将长江存储列入了实体清单，这使得该公司无法从美国公司获得先进的半导体设备来制造领先的128层及以上的3D NAND Flash器件。

尽管受到美国政府的严格限制，长江存储仍继续努力通过原有的设备及国产设备来帮助其发展其3D NAND Flash。该公司的 3.0产品依然在奋力的维持生产，并正在开发新一代的 4.0架构的3D NAND Flash。

今年早些时候，长江存储还宣布，它已经设法将3D QLC NAND Flash的耐久性大幅提高到3D TLC NAND Falsh的水平（达到4000个编程/擦除周期），这大大改善了廉价SSD的特性。