美光 MRDIMM 内存开始送样，性能超越 TSV RDIMM，加速内存密集型工作执行

内存大厂美光日前宣布，其多重访问双列直插式内存模块 （ rank dual , ） 开始送样。让美光客户得以满足要求日益严苛的工作负载，充分发挥运算基础架构的最大价值。

美光科技表示，针对内存需求高达每DIMM插槽128GB以上的应用，美光的性能更胜目前的晶体硅穿孔型 (TSV) RDIMM，达到最高带宽、最大容量、最低延迟，以及更高的每瓦性能，加速内存密集型如虚拟化多租户、HPC和AI数据中心等的工作执行。当前开始送样的内存是美光系列的第一代产品，可以与Intel Xeon 6处理器兼容。

技术采用DDR5的物理与电气标准，带来更先进的内存，每核心的带宽与容量双双提升，为未来运算系统做好准备，更满足数据中心工作负载日益增长的需求。相较于RDIMM，具有以下优势，包括内存有效带宽提升多达39%、总线效率提高15%以上、并且延迟降低高达40%。

另外，支持从32GB到256GB的容量范围，提供标准尺寸和加高尺寸 （TFF） 两种规格，适用于1U和2U高性能服务器。而TFF模块采用先进散热设计，在相同功率和气流条件下，DRAM温度可降低20°C之多，进而提升数据中心的冷却效率，并优化内存密集型工作负载的系统总能耗。

而美光领先业界的内存设计使用32Gb DRAM晶粒制程技术，只需花费16Gb晶粒制程128GB TFF 的功耗即可享受256GB TFF 的性能。在最高数据传输率下，256GB TFF 的性能较同容量的TSV RDIMM提升35%。采用256GB TFF ，数据中心可享受前所未有的整体拥有成本 （TCO） 优势，大胜传统TSV RDIMM。

美光副总裁暨运算产品业务群总经理 表示，美光最新推出的创新主内存解决方案以更低的延迟提供业界迫切需要的高带宽与大容量，有助在下一代服务器平台上实现大规模AI推论和高性能计算 （HPC） 应用。英特尔副总裁暨Xeon 6数据中心产品管理总经理Matt 也表示，采用DDR5界面和技术，能与现有的Xeon 6 CPU平台无缝兼容，为客户提供选择弹性。为客户带来更高带宽、更低延迟，以及多种容量选择，适用于HPC、AI及其他大量工作负载，这些工作负载一样都能继续运行在支持标准DIMM的Xeon 6 CPU平台上。

美光现已上市，并将于2024年下半年开始大量出货。