美光 MRDIMM 开始送样，性能卓越，满足高内存需求应用

近日，DRAM大厂美光宣布，其多重存取双列直插式内存模组 （ rank dual ， ） 开始送样，让美光客户得以满足要求日益严苛的工作负载，充分发挥其计算基础设施中获得最大价值。

美光科技表示，针对内存需求高达每DIMM插槽128GB以上的应用，美光的性能优于目前的硅通孔型（TSV）RDIMM，达到最高带宽、最大容量、最低延迟和更高的每瓦性能，从而加速内存密集型如虚拟化多租户、HPC和AI数据中心等的工作负载。当前开始送样的内存产品是美光系列的第一代产品，可以与Intel Xeon 6处理器兼容。

技术采用DDR5 的物理与电气标准，带来更先进的内存，每核心的带宽与容量双双提升，为未来计算系统做好准备，更满足数据中心工作负载日益成长的需求。与RDIMM相比，具有以下优势，包括内存有效带宽提升多达39%、总线效率提高15%以上、并且延迟降低高达40%。

支持从32GB到256GB的容量范围，采用标准和高外形 （TFF），适用于高性能 1U 和 2U 服务器。TFF 模块改进的散热设计可在相同的功率和气流下将 DRAM 温度降低多达 20 摄氏度，在数据中心实现更高效的冷却功能，并优化内存密集型工作负载的总系统任务能量。

美光采用 32Gb DRAM 芯片的行业领先的内存设计和工艺技术，使 256GB TFF 与使用 16Gb 芯片的 128GB TFF 具有相同的功率包络。256GB TFF 在最大数据速率下比类似容量的 TSV RDIMM 性能提高了 35%。借助 256GB TFF ，数据中心可以比 TSV RDIMM 带来前所未有的 TCO 优势。

美光计算产品事业部副总裁兼总经理 表示：“美光最新的创新主内存解决方案以更低的延迟提供急需的带宽和容量，以在下一代服务器平台上扩展AI推理和HPC应用。显著降低了每项任务的能耗，同时提供了与RDIMM相同的可靠性、可用性和可维护性功能和接口，从而为客户提供了可扩展性能的灵活解决方案。美光与行业紧密的合作确保了与现有服务器基础设施的无缝集成，并顺利过渡到未来的计算平台。”

英特尔Xeon 6 副总裁兼数据中心产品管理总经理 Matt 表示：“通过利用 DDR5 接口和技术， 可与现有的 Xeon 6 CPU 平台无缝兼容，为客户提供灵活性和选择。为客户提供了更高带宽、更低延迟和容量点的全选项，适用于HPC、AI和大量工作负载，所有这些都在相同的Xeon 6 CPU平台上，也支持标准DIMM。我们的客户将受益于美光广泛的 产品组合，密度从 32GB 到 256GB，以及标准和高尺寸，这些产品将通过英特尔Xeon 6 平台进行验证。

“随着处理器和 GPU 供应商为我们提供了成倍增加的内核，提供平衡系统性能所需的内存带宽已经滞后。美光 将有助于缩小内存密集型工作负载（如 AI 推理、AI 再训练和无数高性能计算工作负载）的带宽差距，“联想副总裁兼 AI 和高性能计算总经理 Scott Tease 说。“我们与美光的合作比以往任何时候都更加紧密，专注于为我们共同的客户提供平衡、高性能、可持续的技术解决方案。”

美光 现已上市，并将于 2024 年下半年批量出货。与同代 RDIMM 相比，后续几代 将继续提供高达 45% 的每通道内存带宽。