美光量产 G9 TLC NAND 闪存芯片，速度提升 50%，引领 SSD 性能新突破
美光宣布已开始量产第9代（G9）TLC NAND闪存芯片，并将其应用于SSD中，成为业内首家实现这一里程碑的公司。这款全新的G9 NAND闪存具有业界最高的3.6 GB/s传输速度，为读取和写入数据提供了无与伦比的带宽，特别适用于人工智能（AI）和其他数据密集型应用，从个人设备和边缘服务器到企业和云数据中心都能受益。
美光G9 NAND闪存的数据传输速度比目前在SSD中提供的任何NAND都快50%，写入带宽和每芯片读取带宽也比现有的竞争性NAND解决方案高出99%。这些显著的性能优势将转化为SSD和嵌入式NAND解决方案的性能和能效提升。
除了速度上的突破，美光G9 NAND还采用了紧凑的11.5mm x 13.5mm封装，比竞争产品节省28%的空间，是市面上最小的高密度NAND。这一设计使得G9 NAND在各种用例中都能提供最大的设计灵活性。
美光G9 NAND闪存的卓越性能在美光2650 NVMe SSD中得到了充分体现。这款SSD集成了尖端的G9 TLC NAND，为用户提供了一流的日常计算体验。在 10测试中，美光2650 SSD的表现超越了竞争对手，其基准测试分数比竞争解决方案高出38%。
美光2650 NVMe SSD不仅提供一流的可靠性，还具有性能增强的加速缓存功能，可实现更快的写入性能。这款SSD为PCIe Gen4提供了真实的饱和性能，顺序读取速度高达7000 MB/s。与竞争对手相比，其顺序读取速度提高了70%，顺序写入速度提高了103%，随机读取速度提高了156%，随机写入速度提高了85%。
目前，G9 NAND已在美光2650 SSD中供客户OEM使用，同时也以组件形式和基于消费者的英睿达SSD获得客户的认证。美光发布新的TLC NAND芯片标准以及2650 NVMe SSD的首次亮相，表明该公司在主导该领域方面迈出了重要一步。凭借276层第9代NAND的先进技术，美光的2650 NVMe SSD成为市场上功能最强大的选项之一。
