慧荣科技推出全球首款台积电 6 纳米 EUV 制程的 PCIe Gen5 客户端 SSD 主控芯片

【天极网IT新闻频道】全球 NAND 闪存主控芯片领导厂商慧荣科技 (: SIMO),今日宣布正式推出 PCIe Gen5 NVMe 2.0 客户端 SSD 主控芯片 ,该芯片将为AI PC和高性能游戏机带来无与伦比的性能和功耗优势。作为全球首款采用台积电 6 纳米 EUV 制程的 PCIe Gen5 客户端 SSD 主控芯片,与竞争产品的 12 纳米制程相比,功耗降低了 50%,整体功耗降低至7W以下。与PCIe Gen4 SSD相比,提高了1.7倍的功耗效率,且比目前市场上PCIe Gen5竞争产品提升达70%。

慧荣科技  是一款超高性能、低功耗的 PCIe Gen5 x4 NVMe 2.0 SSD 主控芯片,专为具备 AI 功能的 PC 笔记本电脑而设计。支持 8 个 NAND 通道,每通道高达 3,600 MT/s,提供高达 14.5 GB/s 和 13.6 GB/s 的连续读写性能速度,和高达 2.5M IOPS 的随机性能速度,其性能为 PCIe Gen4 产品的 2 倍。同时,主控芯片的功耗仅约3W,高效发挥PCIe Gen5的性能优势。采用慧荣科技独有的第 8 代 ® 技术,包括专为减少 ECC 时间而设计的硬盘训练算法。此强化功能可提升性能并*大化功耗效率,同时确保与*新 3D TLC/QLC NAND 技术兼容,实现更高的存储容量,满足下一代 AI PC 不断发展的需求。

慧荣科技终端与车用存储业务资深副总段喜亭先生表示:“SSD 存储解决方案正在不断发展以应对未来 AI 应用带来的新挑战,这些应用需要数据效率和高性能产品。我们的 PCIe Gen5 SSD 主控芯片具有一流的功耗效率,可满足当今 AI 功能 PC 的独特需求,提供高性能和低功耗,以符合未来不断发展的 AI PC 标准。”

慧荣科技诚邀您莅临于8月6日至8日美国圣克拉拉会议中心举行的FMS(全称  of  and ,未来内存与存储) 2024 峰会,参观位于315号展位的慧荣科技展台,亲身体验及其他一系列创新产品的非凡魅力。

 规格:

PCIe Gen5 x4、NVMe2.0

8 NAND 闪存通道,速度高达 /s

台积电的 6nm 制程

强大四核 Arm® ®-R8 CPU,支持四个 PCIe 通道,数据传输速度高达 32Gb/s

连续读/写速度高达 14.5GB/s 和 13.6GB/s,随机读写高达 2.5M IOPS

支持*新的 3D TLC/QLC NAND

 已由多家主要 SSD 供应商引用并设计开发产品,包括各大 NAND 供应商,将于今年第四季度量产。

除  外,慧荣科技还将展示:

专为AI 存储工作设计的 ™ PCIe Gen5 企业级 SSD 开发平台

:14 GB/s 连续读取和 3.5M IOPS 随机读取 SSD 性能,支持容量超过 128 TB,16 通道设计,可提供高达 /s 的 TLC 和 QLC NAND 传输速度。

™:多维度性能架构 QLC 技术的 PCIe Gen5 SSD:采用 FDP 和 ™ 技术,实现 AI 训练流程性能的*大化。

应用于AI PC 和 AI 智能手机的 UFS 4.0 和 USB 存储解决方案

.0 主控芯片:比上一代 UFS 3.1 提升 65% 功耗效率。

 USB SSD 主控芯片:与上一代产品相比,能为便携式SSD提供两倍的存储容量

车用/物联网边缘应用的先进 AI 存储解决方案

-AT 车用级 SSD 主控芯片:比不支持 SR-IOV 的 PCIe Gen4 SSD 节省 30% CPU 功耗。

 PCIe Gen 4 NVMe 单芯片 BGA SSD

Ferri-eMMC 5.0/5.1

Ferri-UFS 2.2/3.1

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