三星宣布量产新款第 9 代 V-NAND 闪存，巩固市场地位
今年4月，三星正式开始量产第9代V-NAND闪存，首批提供的是容量为1Tb的TLC闪存，进一步增强了自身在闪存市场的竞争力。现在三星宣布启动新款第9代V-NAND闪存的量产工作，属于其首款1Tb的QLC（四层单元）闪存，进一步巩固了三星在高容量、高性能NAND闪存市场中的地位。
三星电子执行副总裁兼闪存产品与技术负责人 Hur表示：“在距上次TLC版本量产仅四个月后，第9代V-NAND QLC闪存产品成功启动量产，使我们能够提供，能够满足人工智能时代需求的完整阵容的SSD解决方案。随着企业级SSD市场呈现日益增长的趋势，对人工智能应用的需求更加强劲，我们将通过QLC和TLC第9代V-NAND闪存继续巩固三星在该领域的市场地位。”
第9代V-NAND QLC闪存综合运用多项创新成果，实现了多项技术突破，包括：
三星计划扩大第9代V-NAND QLC闪存的应用范围，从品牌消费类产品开始，扩展到移动通用闪存（UFS）、个人电脑和服务器SSD，为包括云服务提供商在内的客户提供服务。
