三星电子宣布 1TB QLC 第九代 V-NAND 正式量产
三星最新的QLC V-NAND综合采用了多项突破性技术，其中通道孔蚀刻技术能基于双堆栈架构实现最高单元层数
推出的三星首批QLC和TLC第九代V-NAND，为各种AI应用提供优质内存解决方案
深圳2024年9月12日 /美通社/ -- 三星电子今日宣布，三星首款1太比特（Tb）四层单元（QLC）第九代V-NAND（V-NAND）已正式开始量产。
三星半导体1TB QLC第九代V-NAND
今年四月，三星启动了其首批三层单元（TLC）第九代V-NAND的量产，随后又率先实现了QLC 第九代V-NAND的量产，这进一步巩固了三星在高容量、高性能NAND闪存市场中的地位。
“在距上次TLC版本量产仅四个月后，QLC第九代V-NAND产品成功启动量产，使我们能够提供，能够满足人工智能时代需求的完整阵容的SSD解决方案。”三星电子执行副总裁兼闪存产品与技术负责人 Hur表示：“随着企业级SSD市场呈现日益增长的趋势，对人工智能应用的需求更加强劲，我们将通过QLC和TLC第九代V-NAND继续巩固三星在该领域的市场地位。”
三星计划扩大QLC第九代V- NAND的应用范围，从品牌消费类产品开始，扩展到移动通用闪存（UFS）、个人电脑和服务器SSD，为包括云服务提供商在内的客户提供服务。
三星半导体1TB QLC第九代V-NAND
三星QLC第九代V-NAND综合运用多项创新成果，实现了多项技术突破。
