三星开始量产 1Tb QLC 第九代 V-NAND 内存，巩固行业领导地位
全球最大的内存厂商三星宣布，已开始量1Tb QLC的第九代V-NAND内存，这是全球第一家使用这项新技术开始量产内存芯片的公司。
根据韩国媒体报道指出，继2024年4月制造出全球首款TLC的第九代V-NAND内存之后，三星也已开始量产QLC第九代V-NAND内存。而凭借这一领先业界动作，三星巩固了其在高容量和高性能内存芯片领域的领导地位。另外，为了完成这一目标，三星推出了多项新技术和新制程，包括信道孔蚀刻、设计模具、低功耗设计，以及预测程序等。
其中，在信道孔蚀刻的部分，该技术用于堆栈层，然后创建一个信道孔，电子可以借由该孔移动。这种双层堆栈结构使内存有了更高的存储密度。与上一代QLC技术相比，其位元密度提高了86%。而在设计模具方面，控制操作单元，也就是控制晶体管打开和关闭状态布线的间距，将它们层压以优化和统一单元，借以通过将数据保留率提高20%来提高可靠性。
至于，预测程序则是预测单元状态的变化，并最大限度的减少不必要的单元操作。利用这项技术，三星分别将读取和写入数据时的功耗分别降低30%和50%。而有了以上的几项新技术，其所生产出的QLC第九代V-NAND内存，三星计划未来将使用这些QLC V-NAND内存来制造消费性和服务器应用的SSD，以及用于移动设备的UFS存储。
三星电子执行副总裁兼闪存产品与技术负责人 Hur表示，在TLC版本推出仅四个月后，QLC第9代V-NAND随即成功量产，这使三星能够提供全系列先进的SSD解决方案，满足AI时代的需求。随着企业级SSD市场快速增长，对AI应用的需求不断加强，三星也将继续借由QLC和TLC的第9代V-NAND内存来巩固三星在该领域的领先地位。
