三星明年推出第10代NAND芯片堆叠层数高达290层
在追求更高存储密度和性能的道路上，三星电子正不断寻求创新突破。据最新消息，三星与韩国科学技术院（KAIST）的研究人员合作，正致力于通过新发现的铪铁电体技术，推动NAND闪存技术达到前所未有的1000层以上堆叠高度。
目前，三星已经推出了第9代V-NAND闪存，其堆叠层数高达290层，树立了市场新标杆。而据业内消息，三星计划于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆叠技术，堆叠层数将达到惊人的430层。三星的目标是尽快实现超过1000 TB的存储容量里程碑，为大数据、云计算等领域的发展提供强大的存储支持。
然而，要实现这一目标，三星需要克服诸多技术挑战。其中，如何进一步提高NAND闪存的位密度和可靠性，同时降低生产成本和功耗，是三星面临的关键问题。为此，三星与KAIST的研究人员共同探索了一种新的解决方案——利用铪铁电体的铁电特性来开发更小、更高效的电容器和存储设备。
在即将于檀香山举行的VLSI技术研讨会上，KAIST的研究人员将展示他们在铪铁电体研究方面的最新成果。据初步细节透露，他们通过实验证明了铪铁电体在低压和QLC 3D VNAND技术中的显著性能改进。通过金属带工程栅极夹层（BE-G.IL）-FE通道夹层（Ch.IL）-Si（MIFIS）FeFET的设计，实现了电荷捕获和铁电开关效应的相互作用，从而大幅提升了存储器的性能。
具体来说，MIFIS与BE-G.IL（BE-MIFIS）的结合促进了最大化的“正反馈”（Posi.FB.）双重效应，实现了低工作电压（VPGM/VERS：+17/-15 V）、宽存储窗口（MW：10.5 V）以及在9 V偏置电压下干扰可忽略不计的优异性能。这一成果不仅验证了BE-MIFIS FeFET的性能增强归因于增强的Posi.FB效应，也证明了铪铁电体作为扩展3D VNAND技术发展的关键推动力。
尽管三星并未直接参与此次研发过程，但据悉参与研发的人员与这家韩国科技巨头有着紧密的联系。虽然目前尚不确定铪铁电体是否会导致PB级存储设备的诞生，但它们无疑将在未来推动存储技术迈向新的高度。
