三星计划到 2026 年生产 400 层堆叠的 V-NAND 闪存芯片
三星目前正在批量生产今年 4 月发布的第 9 代 V-NAND 闪存芯片，该芯片的层数达 286 层。 据《韩国经济日报》报道，该公司的目标是到 2026 年至少生产 400 层堆叠的 V-NAND 闪存芯片。
2013 年，三星成为首家推出垂直堆叠存储单元的 V-NAND 芯片的公司，以实现容量最大化。 然而，超过 300 层的堆叠被证明是一个真正的挑战，内存芯片经常出现损坏的情况。
据报道，为了解决这一问题，三星正在开发一种改进型第 10 代 V-NAND 产品，该产品将采用垂直键合（BV）NAND 技术。 这种技术的理念是先在不同的层上制造存储和外围电路，然后再将它们垂直粘合在一起。 这是目前共封装（CoP）技术的重大转变。
三星表示，新方法将把单位面积的比特密度提高1.6倍（60%），从而提高数据速度。
三星的路线图雄心勃勃，计划在2027年推出第11代NAND，预计I/O速率将提高50%，随后在2030年推出1000层NAND芯片。 其竞争对手 SK hynix 也在开发 400 层 NAND，目标是在 2025 年底实现量产，这一点我们在 8 月份曾提到过。
三星是目前 HBM 市场的领导者，占有 36.9% 的市场份额，它还计划在 DRAM 领域推出第六代 10 纳米 DRAM，即 1c DRAM，时间是 2025 年上半年。 然后，我们可以期待在 2026 年看到三星的第七代 1d 纳米（仍为 10 纳米），到 2027 年，该公司希望推出其第一代 10 纳米以下的 DRAM，即 0a DRAM 内存，它将使用垂直通道晶体管 (VCT) 3D 结构，类似于 NAND 闪存所使用的结构。
